TESCAN AMBER X

等離子FIB和無漏磁超高分辨場發(fā)射掃描電鏡的完美結(jié)合，無限擴(kuò)展在材料表征領(lǐng)域的應(yīng)用

TESCAN AMBER X 是結(jié)合了分析型等離子FIB和超高分辨（UHR）掃描電鏡的綜合分析平臺，能夠同時(shí)提供高效率、大面積樣品刻蝕，多模態(tài)的樣品表征，以及在無鎵注入干擾狀態(tài)下進(jìn)行樣品制備和改性。 TESCAN AMBER X 具備快速精確的等離子體FIB刻蝕和無漏磁超高分辨SEM成像的特性，使其成為多項(xiàng)研究的方案，例如快速制備出寬度可達(dá)1 毫米的截面; 高通量、多模態(tài)的FIB-SEM斷層掃描，可快速獲得三維重建圖像和可視化數(shù)據(jù); 元素化學(xué)和/或晶體取向研究; 無注入離子干擾狀態(tài)下制備出微米和納米結(jié)構(gòu)，以便通過其它分析方法進(jìn)行后續(xù)測試或表征等。 

主要特性

• iFIB+ 氙等離子FIB鏡筒

• 最大離子束流可達(dá)1 μA， 可實(shí)現(xiàn)超高刻蝕速率

• 分辨率 : < 15 nm

• 無與倫比的超大視野：1 mm @ 30 keV

• 快速精確的壓電驅(qū)動光闌變換器

• BrightBeam? 超高分辨SEM鏡筒技術(shù)

• 無漏磁超高分辨SEM鏡筒可以最大程度實(shí)現(xiàn)各類樣品的分析和表征

• 分辨率：1.5 nm @ 1kV

• 優(yōu)化的鏡筒內(nèi)探測器系統(tǒng)，進(jìn)一步提高了探測能力

• 光闌優(yōu)化提升了分辨率，特別是在高束流下分辨率

• 最新的 Essence? 電鏡軟件和用戶界面

• 用戶界面友好

• 可定制化的布局

主要應(yīng)用

• 刻蝕和拋光大橫截面
  在3.5小時(shí)內(nèi)完成寬度達(dá)1 mm橫截面的刻蝕， 然后使用TESCAN專有的搖擺樣品臺，以較小的離子束流拋光橫截面，這樣可以抑制”幕簾效應(yīng)“（curtaining），同時(shí)還可以在刻蝕過程中原位監(jiān)控橫截面質(zhì)量。

• FIB-SEM斷層掃描
  AMBER X 是多尺度、多模態(tài)微結(jié)構(gòu)表征的最佳選擇。這款等離子FIB支持快速地刻蝕和拋光樣品。TESCAN用于靜態(tài)3D EBSD數(shù)據(jù)采集的技術(shù)和嵌入式FIB-SEM層析成像模塊，可以支持各種成像和分析探測器，增加了實(shí)用性，使斷層掃描技術(shù)可以快速、精確且便捷地應(yīng)用于各類材料的分析。

• 無鎵干擾狀態(tài)下的樣品制備
  傳統(tǒng)鎵離子 FIB加工時(shí)由于鎵離子污染或注入可能導(dǎo)致的微觀結(jié)構(gòu)和/或機(jī)械性能改變。氙是一種惰性元素，所以可以實(shí)現(xiàn)對鋁等材料進(jìn)行無污染的樣品制備和加工。

  
  

  
  

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