德國WEP公司的ECV（型號為CVP21）在太陽能光伏行業的應用非常普及，市場占有率甚至達95%以上，是光伏行業電池技術研究和發展的必要工具之一，幾乎知名的光伏企業都有使用。

WEP公司的ECV設備：CVP21（見圖）
1. ECV又名擴散濃度測試儀，結深測試儀等，即電化學CV法測擴散后的載流子濃度分布（見圖）；
2. 相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有測量使用方便，價格低的優點；

WEP公司的ECV具有獨特技術可應用于測試電池片的絨面樣片，這也是其被廣泛使用的原因之一； 4. CVP21所能測量的深度范圍是nm---10um;
5. 測量的載流子濃度范圍在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之內都無需校準；
6. 測量擴散樣片時，樣片是保持“Dry in”和“Dry out”，并無需做特別處理；
7. 其所用到的化學試劑本地就能買到，價格低且用量很少買一次可以用好幾年；
8. 從CVP21所測得的數據能帶給研發或工藝人員三方面的信息：一是表面濃度，二是濃度變化曲線，三是結深（見圖）；
9. 表面濃度對于選擇和使用適合的漿料很有幫助，如粘合性，接觸電阻等的匹配問題；
10. 濃度分布曲線對掌握和改進擴散工藝提供依據；
11. 結深的信息對電池工藝的總體把握來說是必須的，也是擴散工藝時常需要抽測的項目之一；
12. 參考：測試出的幾種擴散濃度分布曲線（見圖）；
13. 廣泛的客戶群：Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰陽，BYD，海潤，晶科，吉陽，南玻，格林保爾…

儀器簡介：電化學ECV,摻雜濃度檢測（C-V Profi領）PN結深測試

電化學ECV可以用于太陽能電池、LED等產業，是化合物半導體材料研究或開發的主要工具之一。電化學ECV主要用于半導體材料的研究及開發，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。

本設備適用于在半導體生產中的外延過程的性能評估和過程控制，可以測試多種不同的材料，例如：硅, 鍺, III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模塊化系統結構讓測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布變得GX、準確。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制 。

CVP21的系統特點：
*堅固可靠的模塊化系統結構 ．光學，電子和化學部分相對獨立．
*精確的測量電路模塊
*QL的控制軟件，系統操作，使用簡便
*完善的售后服務體系

提供免費樣品測試并提供測試報告。
保修期：2年，終身維修。
對用戶承諾終身免費樣品測試每月1次。

技術參數：

我們在電化學方分布測試產品方面有超過３０年的經驗和世界上zuixianjin的電路系統。

全自動，特別適用于新材料，如氮化鎵，碳化硅材料等。　

有效檢測: 外延材料、擴散 、離子注入
適用材料: CVP21應用范圍寬，可以用于絕大多數的半導體材料。
IV族化合物半導體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;
III-V族化合物半導體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;
三元III-V族化合物半導體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;
四元III-V族化合物半導體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;
氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;
II-VI族化合物半導體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;
其他不常見半導體材料(可以聯系我們進行樣品測量)。
　
載流子濃度測量范圍:
*最大 1021/cm&sup3； 最小 1011/cm
深度解析度: 最大無上限；最小可至1 nm （或更低）
模塊化系統結構: 拓撲型結構，實時監控腐蝕過程，適于微小樣品及大尺寸的晶圓，全自動化系統。

主要特點：

CVP21電化學ECV是半導體載流子濃度分布wan美的解決方案：
1， CVP21應用范圍寬，可以用于絕大多數的半導體材料。
* IV族化合物半導體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;
* III-V族化合物半導體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;
* 三元III-V族化合物半導體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;
* 四元III-V族化合物半導體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;
* 氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;
* II-VI族化合物半導體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;
* 其他不常見半導體材料(可以聯系我們進行樣品測量)。
2， CVP21可用于不同形態的樣品：多層結構的薄膜材料、基底沒有限制(基底導電或絕緣均可)、標準樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預先咨詢我們)。
3， CVP21擁有很好的分辨率范圍。
* 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質量決定)
4， CVP21是一套完整的電化學ECV測量系統。
* 系統可靠性高(儀器的電子、機械、光學、液體傳動幾個主要部分均經特殊設計)
* 免校準的系統(完全自校準的電子系統，電纜電容均無須用戶再次校準)
* 易于使用(全用戶管理軟件優化，在實驗室環境或生產環境均易于使用)
* 照相機鏡頭控制(過程在線由彩色照相機鏡頭控制；每次測量后，鏡頭數據均可取出。)
* 實驗菜單(測量菜單預定義，優先權用戶可以很容易修改或改進測量菜單)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學樣品池自動裝載/卸載/再裝載，優先權用戶易于修改，進行樣品dry-in/dry-out處理。)