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2025-01-10 10:52:40干式刻蝕機: 干式刻蝕機是一種先進的微納加工設備，它利用物理或化學方法，對材料表面進行精確刻蝕。干式刻蝕具有刻蝕精度高、邊緣質量好、無化學廢液排放等優點。該設備廣泛應用于半導體制造、微電子封裝、光學元件制作等領域，能夠在微米甚至納米尺度上對材料進行精細加工。干式刻蝕機的高性能，使其成為科研和工業生產中不可或缺的重要工具。

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干式刻蝕機問答

2022-08-16 21:44:30福州大學離子束刻蝕機順利驗收: 福州大學離子束刻蝕機順利驗收烈日炎炎，熱情滿心間！后疫情時代，NANO-MASTER工程師步履不停，一站接一站為客戶提供設備安裝調試服務。首站福州大學，那諾-馬斯特工程師已順利安裝驗收NIE-3500型離子束刻蝕機！性能配置：離子束刻蝕機用于刻蝕金屬和介質，z大可支持6”晶圓。配套美國考夫曼-羅賓遜 KDC160離子槍，650mA，100-1200V。刻蝕速率：~250A/min對Au；刻蝕均勻度：對4”片，片內均勻性優于±3%，重復性優于±3%。樣品臺可旋轉，轉速0-30RPM精確可控；可任意角度傾斜，支持斜齒刻蝕；帶水冷功能，刻蝕后易去除光刻膠。極限真空12小時可達6x10-7Torr，15分鐘可達10-6Torr量級的真空；采用雙真空計，長期可靠，使用穩定。14”不銹鋼立方腔體，配套一臺主控計算機，20”觸摸屏監控，配合Labview軟件，實現計算機全自動工藝控制，并可在電源中斷情況下安全恢復；完全的安全聯鎖；支持百級超凈間使用。驗收培訓：安裝調試視頻：

2022-11-25 16:10:30離子束刻蝕（IBE）技術研究: 離子束刻蝕（IBE）技術研究 1.離子束刻蝕（IBE）技術的原理？離子束刻蝕（IBE，Ion Beam Etching）也稱為離子銑（IBM，Ion Beam Milling），也有人稱之為離子濺射刻蝕，是利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，氬離子經過陽極電場的加速對樣品表面進行物理轟擊，以達到刻蝕的作用。刻蝕過程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發生濺射，達到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。工件表面有制備溝槽的掩膜，最后裸露的部分就會被刻蝕掉，而掩膜部分則被保留，形成所需要的溝槽圖形。離子束刻蝕使高方向性的中性離子束能夠控制側壁輪廓，優化納米圖案化過程中的徑向均勻性和結構形貌。另外傾斜結構可以通過傾斜樣品以改變離子束的撞擊方向這一獨特能力來實現。在離子束刻蝕過程中，通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。為了便于后面光刻膠的剝離清洗，一般需要對樣品臺進行冷卻處理，使整個刻蝕過程中溫度控制在一個比較好的范圍。圖1 離子束刻蝕設備結構圖圖2 離子束刻蝕工藝原理圖 2.離子束刻蝕（IBE）適合的材料體系？可用于刻蝕加工各種金屬（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導體、聚合物、陶瓷、紅外和超導等材料。目前離子束刻蝕在非硅材料方面優勢明顯，在聲表面波、薄膜壓力傳感器、紅外傳感器等方面具有廣泛的用途。 3. 離子束刻蝕（IBE）技術的優點和缺點？a 優點：（1）方向性好、無鉆蝕、陡直度高；（2）刻蝕速率可控性好，圖形分辨率高，可達0.01um；（3）屬于物理刻蝕，可以刻蝕各種材料（Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻膠等）；（4）刻蝕過程中可改變離子束入射角來控制圖形輪廓，加工特殊的結構；b 缺點：（1）刻蝕速率慢、效率比ICP更低；（2）難以完成晶片的深刻蝕；（3）屬于物理刻蝕，常常會有過刻的現象。 4.反應離子束刻蝕（RIBE）技術簡介及優點？反應離子束刻蝕（RIBE）是在離子束刻蝕的基礎上，增加了腐蝕性氣體，因此它不但保留了離子束物理刻蝕能力，還增加了腐蝕性氣體（氟基氣體、O2）離化后對樣品的化學反應能力（反應離子束刻蝕：RIBE），也支持腐蝕性氣體非離化態的化學輔助刻蝕能力（化學輔助離子束刻蝕：CAIBE），對適用于化學輔助的材料可以大幅度提升刻蝕速率，提高刻蝕質量。 5. 離子束刻蝕（IBE）的案例展示典型應用：1、三族和四族光學零件2、激光光柵3、高深寬比的光子晶體刻蝕4、在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕5、微流體傳感器電極6、測熱式微流體傳感器

2022-12-13 18:01:10一文讀懂ICP刻蝕技術: ICP刻蝕技術電感耦合等離子體刻蝕（ICP，Inductively Couple Plasma）刻蝕工作原理是：用高頻火花引燃時，部分Ar工作氣體被電離，產生的電子和氬離子在高頻電磁場中被加速，它們與中性原子碰撞，使更多的工作氣體電離，形成等離子體氣體。導電的等離子體氣體在磁場作用下感生出的強大的感生電流產生大量的熱能又將等離子體加熱，使其溫度達到1×10^4K，形成ICP放電。電感耦合等離子體刻蝕是物理過程和化學過程共同作用的結果，在真空低氣壓下，ICP射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例混合的氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極RF射頻作用下，這些等離子對基片表面進行轟擊，基片材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體反應生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。 ICP刻蝕的優勢：ICP刻蝕技術具有刻蝕速率快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大面積均勻性好、刻蝕斷面輪廓可控性高和刻蝕表面平整光滑等優點；ICP刻蝕設備結構簡單、外形小、操作簡便、便于自動控制、適合大面積基片刻蝕。近年來，ICP刻蝕技術被廣泛應用在硅、二氧化硅、III-V族化合物、金屬等材料的刻蝕上 ICP刻蝕相比RIE刻蝕的優勢 ICP刻蝕設備的一般構造電感耦合等離子體（ICP）刻蝕機包括兩套通過自動匹配網絡控制的13.56MHz 射頻電源，一套連接纏繞在腔室外的螺線圈，使線圈產生感應耦合的電場，在電場作用下，刻蝕氣體輝光放電產生高密度等離子體。功率的大小直接影響等離子體的電離率，從而影響等離子體的密度。第二套射頻電源連接在腔室內下方的電極上，主要為等離子提供能量。這樣兩套RF電源的配置，使得在低離子能量條件下，可以增加離子密度，從而提高刻蝕速率的同時，保證對晶片的損傷降到最低。刻蝕的基本要求（1）負載效應刻蝕中還存在負載效應，即發生刻蝕速率變慢的情況。分為宏觀負載效應和微觀負載效應。刻蝕面積很大時，因為氣體傳輸受限和刻蝕氣體耗盡，刻蝕速率會較慢，這稱為宏觀負載效應。在微細圖形的局部區域內，被刻蝕材料的密度過高造成刻蝕氣體耗盡的情況稱為微觀負載效應。（2）圖形保真度設橫向刻蝕速率為V1，縱向刻蝕速率為V2，通常用A 表示刻蝕的各向異性刻蝕的程度，定義如下：A=1，表示圖形轉移中沒有失真，刻蝕具有很好的各向異性。A=0，圖形失真情況嚴重，刻蝕為各向同性。（3）均勻性在材料制備時，薄膜厚度一般有一定的不均勻性，而刻蝕時同一襯底片的不同位置的刻蝕速率也不同。這些都會造成圖形轉移的不均勻。刻蝕的均勻性在很大程度上依賴于設備的硬件參數，如反應室的設置，氣流，離子濃度等均勻性情況。其次是工藝參數的影響。對于大襯底的刻蝕，如果刻蝕時間不夠，膜厚處沒有刻蝕完全；但是刻蝕時間太長，膜薄處會造成過刻蝕，實際情況中需要綜合考慮。也可以在被刻蝕材料的下層制備截止層，截止層選用和被刻蝕材料有很高選擇比的材料，這樣可以加長刻蝕時間，保證膜厚處被刻蝕干凈，膜薄處也不會造成明顯的過刻蝕。除了同一樣片不同位置的均勻性問題，同一刻蝕條件不同樣片的刻蝕均勻性（也稱重復性）也很重要。重復性與反應室的狀況有很大的關聯性。（4）表面形貌一般情況下，刻蝕后的表面形貌都希望側壁陡直光滑，刻蝕地面平滑。但對于不同的器件有時也有特殊要求，如需傾斜剖面、微透鏡結構等。（5）刻蝕的清潔刻蝕中防止玷污是非常重要的。如果在接觸孔的位置出現重金屬沾污也會造成漏電。對于干法刻蝕，刻蝕表面還會出現聚合物的再淀積。等離子刻蝕的基本過程等離子體刻蝕有四種基本的過程，他們分別是物理濺射刻蝕（Sputtering）、純化學刻蝕（Chemical）、離子增強刻蝕（Ion enhanced energetic）、側壁抑制刻蝕（Ion enhanced inhibitor）。1) 物理濺射刻蝕（Sputtering）濺射工藝是以一定能量的粒子（離子或中性原子、分子）轟擊固體表面，使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。等離子體所提供的離子能量約為幾百eV，一般來說會高于濺射產生的閾值（幾十eV）。在等離子提供的能量范圍內，濺射率隨著離子本身能量的增大而急劇增加。不同材料的濺射速率在離子能量一定的情況下相差不大，因此濺射是純物理的過程，這個過程選擇性差，速率低。但是物理濺射刻蝕，離子轟擊具有很強的方向性，使得被刻蝕材料具有很好的各向異性。2) 純化學刻蝕（Chemical）在純化學刻蝕中，等離子體提供中性的活性基團，這些活性基團與薄膜表面發生化學反應，生成相應的氣相產物。如刻蝕Si材料常用F基氣體，因為會生成易揮發的SiF4.化學刻蝕是各項同性的，活性基團會以近似角分布到達被刻蝕材料表面，反應過程中反應產物必須是可揮發的。一般來說化學刻蝕可以獲得高的速率以及選擇比。3) 離子增強刻蝕（Ion enhanced energetic）離子增強刻蝕是物理濺射和化學刻蝕互相結合的工藝方式。物理濺射中物理轟擊的作用可以大大增強薄膜表面的化學反應的活性，刻蝕的效果相較單一的物理和化學刻蝕，效果顯著。等離子體既提供了粒子通量又賦予離子能量。4) 側壁抑制刻蝕（Ion enhanced inhibitor）這種刻蝕方式主要應用于深刻蝕，如Bosch工藝，深硅刻蝕運用分子量較大的鈍化氣體C4F8與SF6搭配，刻蝕和鈍化交替進行，實現側壁垂直的深刻蝕工藝。影響刻蝕效果的因素ICP 工藝中影響刻蝕效果的因素很多。工藝參數里包括源功率、偏壓功率、刻蝕氣體及流量、工作氣壓和溫度等。此外，掩膜的制備和反應室內壁的情況對刻蝕結果也有很重要的影響。1.掩膜的影響ICP 刻蝕是圖形轉移的過程，因此掩膜的制備對刻蝕非常重要。最常見的掩膜是光刻膠(Photoresist.PR)、SiO2和金屬(如A1、Ni等)。一個好的掩膜要求陡直度較高，邊緣光滑。底部去除干凈無殘留，抗高溫和抗轟擊能力強。掩膜的陡直度和邊緣的光滑程度直接影響刻蝕剖面的陡直度和側壁的光滑程度。雖然可以通過工藝參數的調整改善刻蝕形貌，但是效果遠不如掩膜質量的改善。因此高質量的光刻技術對刻蝕非常重要。(1)幾乎所有的掩膜制備都需要由光刻制備，光刻膠掩膜的制備最容易，精度也最高。但是，光刻膠的抗高溫和抗轟擊能力很差，只能用于低溫工藝，通常選擇比也較低。(2)硬掩膜SIO2 和金屬等硬掩膜一般需要光刻膠圖形的二次轉移，圖形精度會有所損失。但是它們的抗高溫和抗轟擊能力很好，選擇比高，可以刻蝕更深的深度。2.工藝參數的影響(1)ICP Power 源功率這個功率源的主要作用是產生高密度等離子體，控制離子通量。功率增加時，離子和活性基密度增加，刻蝕速率也增加。一般情況下，選擇比也會增加。但過高時，均勻性會下降。同時，源功率增加會帶給襯底更多的熱負荷，襯底溫度會明顯升高，對于需要低溫的工藝影響較大，需要更好的溫控系統。(2)RF Power 偏壓功率偏壓功率源主要作用是控制離子轟擊能量。對刻蝕速率和臺階角度影響很大。偏壓功率增加，刻蝕速率明顯增加。但是同時對掩膜的刻蝕也明顯增加，可能導致選擇比下降，臺階形貌變差。偏壓功率過高有時會在臺階底部形成“trenching”溝槽。(3)工作氣壓ICP 刻蝕的工作氣壓一般都小于 50mTorr，典型值在幾個 mTorr 至十幾mTorr。在這樣的低氣壓條件下，粒子的平均自由程很長，方向性好，離子轟擊作用也較強。同時，低氣壓也有利于揮發性刻蝕產物的解吸附，易獲得好的刻蝕結果。氣壓對均勻性影響很大，氣壓減小時均勻性更好。因此，氣壓減小，刻蝕的各向異性增加，均勻性和臺階角度會更好。氣壓對刻蝕速率的影響隨刻蝕材料和氣體的不同而有明顯的差異。對于化學作用較強的工藝，如 GaAs 的刻蝕，氣壓較大時因為活性基和離子密度增加，刻蝕速率和選擇比會有較大增加。而對物理作用較強的工藝，如 SiO2 的刻蝕，氣壓增加時刻飩速率變化不大。(4)氣體成分和流量等離子體刻蝕中經常使用含多種成分的混合氣體。這些氣體大體可分為三類。第一類是主要刻蝕反應氣體，與被刻蝕材料發生化學反應生成揮發性產物。如 CI2、CF4、SF6 等。第二類是起抑制作用的氣體,可以在側壁形成阻擋層,實現高的各向異性刻蝕,如 CHF3、 BCl3、SiCI4、CH4等。第三類是起稀釋或特殊作用的惰性氣體，如 Ar、He、N2 等。可以增強等離子體的穩定性，改善刻蝕均勻性，或增加離子轟擊作用在(如 Ar)來提高各向異性和提高選擇比(如 H2、O2)等。為了實現不同的刻蝕結果，平衡每一類氣體的作用(選用合適的流量比)非常重要。如果需要獲得較高的刻鐘速率,應選擇和被刻蝕材料反應積極并目生成物非常易干揮發的反應類氣體，同時可以適當提高其百分比濃度。但是，如果是被刻蝕層偏薄，對下層材料的選擇出又較低的情況，常常提高抑制氣體和稀釋氣體的比例來降低刻蝕速露，以實現對刻鐘終點的精確控制。(5)溫度溫度對刻蝕速率的影響主要體現在化學反應速率的變化。因此為了保證刻蝕速率的均勻性和重復性，必須精確的控制襯底溫度。高溫可以促進化學反應的進行，同時也有利于揮發性產物的解吸附。對于刻蝕生成物揮發溫度較高的工藝，如 InP的刻蝕，高溫會帶來有利的影響，但是對于以光刻膠為掩膜的低溫工藝來說，溫度必須控制在較低的水平。溫度過高時光刻膠會軟化變形，造成刻蝕圖形的偏差。嚴重時光刻膠會碳化，導致刻蝕后很難去除。如果必須使用較高的襯底溫度，需要改為 SiO2、金屬等硬掩膜。外加功率在很大程度上會轉化為熱量。對于ICP 這種等離子體，功率一般很高，反應中襯底溫升很快。如果工藝對溫度非常敏感，在參數設置時應更加注意。

2022-04-14 10:58:28水浴氮吹儀和干式的對比: 水浴氮吹儀和干浴氮吹儀是常見的兩種氮吹儀，它們之間的差別體現在加熱模塊，溫度范圍，適用范圍等方面的不同。(1)加熱模塊干浴氮吹儀是用金屬模塊加熱，一般為鋁模塊。水浴氮吹儀是水浴鍋加熱。(2)加熱溫度范圍干浴氮吹儀的加熱溫度范圍為室溫到150度。水浴氮吹儀的加熱溫度范圍為室溫到100度。(3)適用范圍對于極個別怕水的樣品，不能使用水浴氮吹儀，只能使用干熱式。(4)加熱特點水浴加熱方式相比干熱方式，加熱更溫和，更均勻。(5)樣品冷卻當特殊樣品不能加熱，反而需要冷卻時，水浴方式的水浴槽可以用做冰浴來使用

2022-03-16 10:58:56干式水浴氮吹儀固相萃取工作原理: 我們用固相萃取儀，zui關心的就是萃取效果。然而影響萃取效率的因素有以下幾種：（1）填料（固定相）-核心選擇合適的SPE柱填料是保證理想結果的前提。（2）洗脫溶劑的強度 1.采用正相固定相，溶劑強度隨其極性增強而增強 2.采用反向固定相，溶劑強度隨其機性減弱而增強（3）PH值離子交換固定相、被分析物和干擾物質的PKa各不相同。通過調節PH大小，可以使固定相帶電荷，被分析物帶相反電荷，而使干擾物質不帶電荷；或者反過來，使固定相帶電荷，干擾物帶相反電荷，而使被分析物不帶電荷，從而達到分離純化的目的。目前，氮吹儀也叫氮氣吹干儀，自動快速濃縮儀等，在市場上普遍有兩種：干式氮吹儀和水浴式氮吹儀。氮吹儀代替傳統的旋轉蒸發儀對樣品進行濃縮已經被越來越多的人認可并接受。1. 氮吹儀的工作原理我們知道，加快蒸發有兩個方法：加強它周圍的空氣流動和它的溫度。氮氣是一種不活潑的氣體，能起到隔絕氧氣的作用，防止氧化。氮吹儀利用氮氣的快速流動打破液體上空的氣液平衡，從而使液體揮發速度加快；并通過干式加熱或水浴加熱方式升高溫度（目標物的沸點一般比溶劑的要高一些），從而達到了濃縮的目的。2. 氮吹儀的主要部件主要包括氣體分配室、氣針、高度調節支架、氮氣接口、高度微調部件、支柱、固定組件、機箱、襯套、加熱塊、樣品試管或試瓶等部件。3. 氮氣吹掃儀的使用方法（以水浴式氮吹儀為例）氮吹儀安裝好后，底盤支撐在恒溫水浴內，打開水浴電源，設定水浴溫度，水浴開始加熱。提升氮吹儀，將需要蒸發濃縮的樣品分別安放在樣品定位架上，并由托盤托起，其中托盤和定位架高低可根據實驗樣品試管的大小調整。打開流量計針閥，氮氣經流量計和輸氣管到達配氣盤，配氣后送往各樣品位上方的針閥管（安裝在配氣盤上）。然后，通過調節針閥管針閥，氮氣經針閥管和針頭吹向液體樣品試管，可通過調整鎖緊螺母可以上下滑動針閥管，調整針頭高度，以樣品表面吹起波紋，樣品又不濺起為好。zui后，將氮吹儀放于水浴中，直到蒸發濃縮完成。4. 氮吹儀的優點（1）一次可處理多個樣品，在多因素、多水平的重復實驗中優勢更為明顯。（2）實驗操作簡潔、靈活。可以不受約束地隨時調節濃縮的進程。（3）實驗中不需要操作者長時間的維護，節省人力。（4）氮吹儀在濃縮時準確、靈敏可避免樣品損失。5. 氮吹儀的應用領域氮吹儀主要用于色譜、質譜等分析樣品的純化和制備，廣泛應用于水、甲苯、甲醇、丙酮等溶劑的揮發。應用領域有：（1）農殘分析：如蔬菜、水果、谷物、植物組織（2）環境分析：如飲用水、地下水和污染水水樣（3）制藥藥檢：如中藥制藥（4）生物分析：如血清、血漿、血液、尿液（5）商品檢驗：如二噁英、克羅特羅等的檢驗（6）食品飲料：如牛奶、酒、啤酒、液體飲料氮吹儀的耗氣因素有很多，如氮氣流量、是否有水浴、溶劑沸點等等。以前我們用的是12位的帶水浴功能的氮吹儀，溶劑是正己烷，25mL溶劑，一瓶氮氣（一般使用高純氮氣，如果要求不嚴格可以用普氮）用的時間很長的。不知道樓主的氮吹儀有多少個吹孔，如果不是同時使用，要注意不要空吹。如果吹一些高沸點的溶劑，如乙酸乙酯，就會消耗的多一些。東奧會計加快蒸發有兩個方法：加強它周圍的空氣流動和它的溫度。氮氣還是一種不活潑的氣體，也能起到隔絕氧氣的作用，防止氧化。氮吹儀就是通過這些原理達到了濃縮的目的。它將氮氣快速、連續、可控地吹到加熱樣品表面，實現大量樣品的快速濃縮。200mL到1mL？這個用氮吹儀的話效率太低了吧，見你你先用旋蒸蒸發掉一大部分，然后轉移到氮吹儀里吹干吧。氮吹儀也叫氮氣吹干儀，自動快速濃縮儀等，氮吹儀代替傳統的旋轉蒸發儀對樣品進行濃縮已經被越來越多的人認可并接受。其優勢在于：1.一次可處理多個樣品，在多因素、多水平的重復實驗中優勢更為明顯。2.實驗操作簡潔、靈活。可以不受約束地注冊會計隨時調節濃縮的進程。3.實驗中不需要操作者長時間的維護，節省人力。4.旋轉蒸發儀在溶劑沸騰時可能會造成樣品的損失，而氮吹儀在濃縮時準確、靈敏可避免樣品損失。到貨后，應仔細檢查包裝箱內物品,確認箱內物品是否與裝箱清單相符, 確認運輸過程損壞與否。保留包裝箱和包裝材料,直到檢查完所有部件和儀器安裝測試完成。如發現損壞或與訂貨不符,請立即與北京康林科技有限責任公司。氮吹儀課堂為分析或環境實驗室的蒸發濃縮應用而設計, 適合訓練有素的實驗人員使用。建議氮吹儀不作它用,擅作它用,后果自負。不應改進或更改氮吹儀。由于操作不當或任何改進、改動引起的損失, 北京康林科技有限責任公司概不負責,一經操作失誤或改進,所有承保立即解除。應當根據該手冊內的操作說明使用氮吹儀,以下是使用氮吹儀時應當知曉的常規安全知識。氮吹儀通過將氮氣快速、可控、連續地吹到加熱液體樣品表面來完成樣品的快速濃縮，適用于濃縮大量樣品。其儀器結構見圖1。氮吹儀安裝好后，底盤支撐在恒溫水浴內，打開水浴電源，設定水浴溫度，水浴開始加熱。提升氮吹儀，將需要蒸發濃縮的樣品分別安放在樣品定位架上，并由托盤托起，其中托盤和定位架高低可根據培訓樣品試管的大小調整。打開流量計針閥，氮氣經流量計和輸氣管到達配氣盤，配氣后送往各樣品位上方的針閥管（安裝在配氣盤上）。然后，通過網校調節針閥管針閥，氮氣經針閥管和針頭吹向液體樣品試管，可通過調整鎖緊螺母可以上下滑動針閥管，調整針頭高度，以樣品表面吹起波紋，樣品又不濺起為好。zui后，將氮吹儀放于水浴

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