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2025-01-10 17:04:05納米孔基因測序技術: 納米孔基因測序技術是一種基于生物納米孔的DNA測序方法。該技術利用納米孔對DNA分子的電導率變化進行監測，當DNA鏈通過納米孔時，不同堿基會引起不同的電信號變化，從而實現序列測定。其優點包括長讀長、低成本和便攜性，適用于基因組組裝、變異檢測和病原體監控等領域。然而，該技術目前仍面臨準確率和通量等方面的挑戰。

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納米科技 “以小搏大”

納米科技越來越受到科研界和產業界重視。研究顯示，21世紀以來，全球960個最顯著的科研方向中，89%與納米科技有關。

上海奧法美嘉生物科技有限公司 513
2022-06-22
納米科技納米環境技術納米孔基因測序技術

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納米孔基因測序技術問答

2022-11-11 22:42:17納米二氧化硅表面改性研究-低場核磁技術: 納米二氧化硅表面改性研究-低場核磁技術納米二氧化硅具有常規材料難以比擬的優異性能，在先進陶瓷、微電子、航天航空、生物制藥、光學檢測等領域獲得了廣泛的應用，但由于穩定性低、易發生團聚和難于分散，需要對超細粉體進行適當的表面處理以改善顆粒的表面特性和提高其分散性能，達到應用要求。納米二氧化硅表面改性方法納米二氧化硅表面改性方法是指改變非金屬礦物粉體表面或界面的物理化學性質的方法，主要有表面物理涂覆、化學包覆、無機沉淀包覆或薄膜、機械力化學、化學插層等。目前工業上粉體表面改性常用的方法主要有表面化學包覆改性法、沉淀反應改性法、機械化學改性法和復合法。在實際生產過程中，正確評價表面改性效果，對及時調整改性劑、工藝與設備參數等至關重要。低場核磁共振技術可用于粉體表面改性研究，特別是懸浮體系的表面特性研究。低場核磁技術用于納米二氧化硅表面改性劑研究的基本原理：對于潤濕的顆粒體系，顆粒表面會附著一層液相分子，這些液相分子因無機相表面的吸附作用而運動受限。但未與顆粒相接觸的液相分子運動是自由的，液相分子的馳豫時間（relaxation time）與它所處的運動狀態密切相關，自由狀態的液相分子的核磁馳豫時間要比束縛狀態的液相分子的馳豫時間長得多，顆粒分散性更好的體系吸附溶劑量相對更多，弛豫時間也就更短。因此，可以利用低場核磁共振技術來測量懸浮液體系的馳豫時間，并計算顆粒的濕潤比表面積（可利用的吸附表面積），進而用來研究顆粒的團聚狀態、分散性穩定性、親和性以及潤濕性等問題。

2021-09-05 12:28:42人工脂雙層記錄: 分析不含其他蛋白質的通道和納米孔: 人工脂雙層記錄:分析不含其他蛋白質的通道和納米孔使用人工脂質雙層記錄可以監測離子通道活性，其中可以測量許多類型的重建離子通道和納米孔。不同于在整個的活細胞上進行的實驗，人工雙層為研究離子通道和其他完整的膜蛋白提供了不同的方法。主要優點在于完全沒有任何不需要的干擾物質，以及對目標分子進行單一通道水平的方便和可重復的研究。這是通過將純化的蛋白質或具有精確控制的組成的蛋白質 - 脂質體的融合引入到沒有任何污染物的高度絕緣的磷脂膜中來實現的。該技術能實現優異的電密封，能實現極其敏感的監測（低至單分子水平），同時可以精確控制膜和摻入蛋白質的組成。另外，僅需要來自表達靶離子通道的細胞的一小部分膜提取物。Nanion基于芯片的平面脂雙層設備 Port-a-Patch 是占地小的自動膜片鉗設備，可以分析細胞、脂雙層上的離子通道。 Orbit mini 結合結合了先進的放大器技術，可實現簡單與可重復的對四個平面脂雙層進行研究。選配的自動溫度控制使得能夠在生理溫度下或對溫度敏感通道（例如TRP通道）進行實驗。 Orbit 16 TC具有比Orbit mini更高的通量，并可自動形成脂雙層，提高系統的易用性和實驗的可重復性。The automated temperature control enables experiments at physiological temperatures or on temperature-sensitive species such as TRP channels. Vesicle Prep Pro為雙層記錄生成巨型單層囊泡（GUV）的有用設備。

2022-04-24 16:42:23納米多孔氧化鋁: 本品為化學法合成的白色球形粉末，無重金屬、無放射性元素。物理指標①晶相 γ相②AI2O3含量 ≥99.9③ 介孔 0.38④ 原晶粒度 50-60納米化學指標①本品用于噴墨打印紙的涂層，為紙張提高光澤。②増加涂料的耐磨性，具有助流、提高上粉率、防結塊等特點應用范圍①導熱硅膠②電子灌封膠③粉末涂料公眾號搜索粉體圈，聯系報價。聯系方式：400-869-9320轉8990更多信息進入店鋪查看：https://www.360powder.com/shop.html?shop_id=1727

2023-06-17 11:01:26金雷供應銅鋁雙孔接線端子 DTL雙孔線耳，銅鋁鼻國標非標: 金雷供應銅鋁雙孔接線端子 DTL雙孔線耳，銅鋁鼻國標非標由于銅和鋁的剪切模量差異較大，容易引起熱膨脹而造成接觸不良、接線片燒毀等問題。此外，鋁的電導率也比銅低，使用純銅接頭又不太經濟，因此采用銅鋁接頭可以解決不同材料導線的連接問題。銅鋁接線鼻子的安裝順序要先銅后鋁，將銅的導線插入銅鋁接線鼻子中的空心部分，再將鋁鉚條鉚接到鋁的導線上。這樣可以避免用鋁導線穿過銅鋁接線鼻子，并引起電流過大燒毀接頭的情況。銅鋁接線鼻子在使用過程中，要經常檢查接頭是否松動、是否氧化生銹等問題，及時進行維護。若接頭出現燒焦、熔斷等現象，應立即更換接頭。總之，銅鋁接線鼻子在電力行業中有著重要的應用價值，希望大家在使用過程中多加注意。同時，我們樂清市金雷電氣有限公司也將提供高品質的銅鋁接線鼻子，為客戶提供產品和服務。

2022-11-18 16:15:48反應離子刻蝕技術: 反應離子刻蝕概述：反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應用于物理，生物，化學，材料，電子等領域。工作原理：通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場, 在強電場作用下, 被高頻電場加速的雜散電子與氣體分子或原子進行隨機碰撞, 當電子能量大到一定程度時, 隨機碰撞變為非彈性碰撞, 產生二次電子發射, 它們又進一步與氣體分子碰撞, 不斷激發或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復合。當電子的產生和消失過程達到平衡時, 放電能繼續不斷地維持下去。由非彈性碰撞產生的離子、電子及及游離基(游離態的原子、分子或原子團) 也稱為等離子體, 具有很強的化學活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學反應, 形成揮發性物質, 達到腐蝕樣品表層的目的。同時, 由于陰極附近的電場方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進行物理轟擊, 使得反應離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。刻蝕氣體的選擇對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料, 可選擇氣體種類較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應過程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF+2 基團反應，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發性氣體。對于鍺材料、選用含F 的氣體是十分有效的。然而, 當氣體成份中含有氫時, 刻蝕將受到嚴重阻礙, 這是因為氫可以和氟原子結合, 形成穩定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實驗證明, SF6 氣體對Ge 有很好的腐蝕作用。反應過程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發性氣體) 。設備：典型的（平行板）RIE系統包括圓柱形真空室，晶片盤位于室的底部。晶片盤與腔室的其余部分電隔離。氣體通過腔室頂部的小入口進入，并通過底部離開真空泵系統。所用氣體的類型和數量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過調節氣體流速和/或調節排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內。存在其他類型的RIE系統，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類型的系統中，利用RF供電的磁場產生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實現非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產生定向電場以實現更多的各向異性蝕刻輪廓。操作方法：通過向晶片盤片施加強RF（射頻）電磁場，在系統中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產生等離子體。在場的每個循環中，電子在室中上下電加速，有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時，響應于RF電場，更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統的電子狀態。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發生化學反應，但也可以通過轉移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞，反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻，用于挖掘深部特征。