硅光電探測器，帶放大，固定增益

Item #a	Housing Featuresb	Wavelength Range	Bandwidth Range	Rise Time	Gain		NEP	Typical Performance Graphs	Active Areac	Operating Temperature Range	Power Supply Included
					Hi-Z Load	50 Ω Load
PDA10A2d		200 - 1100 nme	DC - 150 MHz	2.3 ns	10 kV/A	5 kV/A	29.2 pW/Hz1/2		0.8 mm2 (?1 mm)f	10 to 50 °C	Yes
PDA8A2		320 - 1000 nm	DC - 50 MHz	7 ns	100 kV/A	50 kV/A	7.8 pW/Hz1/2		0.5 mm2 (?0.8 mm)	10 to 50 °C	Yes
PDF10A2		320 - 1100 nm	DC - 20 Hz	22 ms	1 x 109 kV/A	-	3.0 x 10-3 pW/Hz1/2		1.2 mm2 (1.1 x 1.1 mm)	10 to 50 °C	Yes
PDA015A2		400 - 1000 nm	DC - 380 MHz	1.0 ns	50 kV/A	25 kV/A	36 pW/Hz1/2		0.018 mm2 (?150 μm)	10 to 40 °C	Yes
FPD510-FS-VIS		400 - 1000 nm	DC - 250 MHz	2 ns	-	1.5 x 105 Vpp/Wg 2.5 x 104 Vpp/Wh	6.0 pW/Hz1/2		0.13 mm2 (?0.4 mm)	10 to 40 °C	Yes
FPD610-FS-VIS		400 - 1000 nm	DC - 600 MHz	1 ns	-	2 x 106 Vpp/Wg 2.5 x 105 Vpp/Wh	11.2 pW/Hz1/2		0.13 mm2 (?0.4 mm)	10 to 40 °C	Yes

1. 點擊鏈接查看產品圖片。

2. 點擊圖標了解外殼詳情。

3. 點擊鏈接查看探測元件的圖片。

4. 如果長期使用紫外光，產品性能可能會退化。例如，產品的紫外響應可能會降低，暗電流可能會增加。而性能退化的程度取決于輻射水平、強度和使用時間等因素。

5. 探測器有源區表面與外殼前部齊平，因此不兼容下面提供的S120-FC、S120-FC2和S120-25光纖轉接件。

6. 飛秒脈沖增益

7. CW增益