HPGe高純鍺晶體

High Purity Germanium Single Crystal P Type

9N,10N,11N,12N,13N

高純鍺晶體概述：


晶體習性與幾何描述 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。當一個晶體屬于原生態晶體時，其當量直徑為：

D ----外形尺寸當量直徑
W----鍺晶體重量
L-----晶體長度
測量值是四舍五入最小可達到毫米級別。為了便于訂單出貨，我們會依據晶體的體積、直徑和長度進行分類。同時我們可以滿足客戶的特殊需求，提供定制服務（特殊規格，請參照附件）。

純度 殘留載荷
最大允許凈載流子雜質濃度與探頭二極管的幾個構造有關，請參照如列公式。其純度依據據霍爾效應測量和計算。
l 同軸探測器
同軸探測器適用于下列公式：

where:
Nmax = 每立方厘米最大雜質含量
VD = 耗盡層電壓 = 5000 V
εo = 介電常數 = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相對介電常數(Ge) = 16
q = 電子電荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探測器內孔半徑
r2 = 探測器外孔半徑

純度 假如晶體表面半徑減少2mm,由于鋰的漫射和刻蝕，內徑8毫米的內孔半徑， 適用公式變為：


D = 晶體外表面

平面探測器

平面探測器（厚度小于2厘米）適用于以下公式：



d=探測器外觀尺寸厚度

徑向分散載荷子（值）

遷移 霍爾遷移

性能 P 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶體 μH ≥ 10000 cm2/V.s

深能級 P 型晶體 通過深能瞬態測量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3
N 型晶體 通過深能瞬態測量點缺陷 < < 5*108 cm-3


wan美晶體 P型晶體 N型晶體
位錯密度 ≤10000 ≤5000
星型結構 ≤3 ≤3
鑲嵌結構≤5 ≤5


高純鍺HPGe晶體參數說明：