原子層沉積系統

● 樣品類型：粉體樣品，旗形樣品，其他樣品類型可定制 ● 可與超高真空XPS，STM，及其他UHV系統互聯 ● 腔體最高加熱400℃，控溫精度±1℃ ● 復雜管氣路，可最多具備八種前驅體、兩路氧化還原氣路和三路載氣 ● 設計獨特的高溫鼓泡器，可提高低蒸氣壓固態源反應效率和重復性 ● 自動化控制系統，可自行編程實現不同類型ALD樣品生長 ● 控制系統帶安全互鎖報警功能 ● 采用PID自動控溫，帶模糊算法自整定 ● 全金屬密封，適用于腐蝕性反應 ● 實時測控氣體流量和監測真空度 ● 在線原位分析氣體成分 ● 自帶臭氧發生器，反應殘留物熱分解裝置

原子層沉積系統AT-410

原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。

ALD小型原子層沉積系統

應用領域 原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度，成份和結構），優異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領域具有廣泛的應用潛力。該技術應用的主要領域包括： 1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate） 2） 微電子機械系統（MEMS） 3） 光電子材料和器件 4） 集成電路互連線擴散阻擋層 5） 平板顯示器（有機光發射二極管材料，OLED） 6） 互連線勢壘層 7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介電層 9） 嵌入式電容 10） 電磁記錄磁頭 11） 各類薄膜（<100nm）

ald原子層沉積 NLD-3000原子層沉積系統 那諾-馬斯特

NLD-3000原子層沉積系統：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

ald原子層沉積設備 NLD-4000（M）原子層沉積系統 那諾-馬斯特

NLD-4000（M）原子層沉積系統：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

原子層沉積設備 NLD-4000（A）全自動原子層沉積系統 那諾-馬斯特

NLD-4000（A）全自動原子層沉積系統：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

芬蘭Picosun ALD原子層沉積系統

全自動原子層沉積系統(ALD)

Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經有15年以上的ALD研發生產經驗。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學，05年搬到Boston并生產出Thermal ALD - Savannah, 之后生產出Plasam ALD - Fuji、批量生產ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止，Veeco在ALD設備已有15年多的經驗，全球已安裝五百多臺ALD設備。