美Nano-master  RIE反應離子刻蝕系統

NRR-4000 獨立式雙RIE或ICP刻蝕系統

NRE-4000 獨立式RIE或ICP系統

NRE-3000 臺式RIE系統

NDR-4000 深硅刻蝕系統

NANO-MASTER那諾-馬斯特的NRE-4000型獨立式RIE反應離子刻蝕系統，帶有淋浴頭氣流分布和水冷射頻樣品臺。該RIE反應離子刻蝕系統帶不銹鋼立柜和一個13”圓柱形鋁制腔體，一鍵式實現頂蓋升降便于放片取片。系統最 大可支持8”（200毫米）晶圓，也可以支持更大基片刻蝕的定制。腔體包含兩個端口，一個用于2”觀察視窗，另一個預留用于比如終點監測等診斷裝備。腔體為超凈設計，腔體的極限真空可達到5×10-7Torr或更低，具體取決于真空泵系統，系統可以在20mTorr到8Torr之間的壓力范圍內工作。

該系列RIE反應離子刻蝕系統的標準泵組包含260L/Sec抗腐蝕渦輪分子泵、濾網，和10cfm抽速的PFPE前機泵。600W，13.56MHz的射頻電源，帶自動調節器。基片直流偏壓實時監控最 高可達500V，這對各向異性刻蝕非常重要。系統通過計算機自動控制，菜單驅動，這給用戶提供了最 大的靈活性，同時保持了高度的重復性。系統可支持單晶圓或者Cassette-to-Cassette的自動上下片。

NANO-MASTER那諾-馬斯特的RIE反應離子刻蝕系統的型號包含NRE-3000臺式RIE反應離子刻蝕系統，最多支持四路工藝氣體，NRE-3500緊湊型獨立式RIE反應離子刻蝕系統，可升級為ICP刻蝕系統，可支持6路氣體。NRE-4000型獨立式RIE反應離子刻蝕系統，具有更大的空間，可以支持自動上下片，最多到12路氣體的擴展等眾多能力選項。

特點：

** 13”硬質陽極氧化鋁腔體
** 淋浴頭氣流分布
** 最 大支持200毫米基片
** 可支持更大尺寸基片刻蝕的定制
** 帶不銹鋼氣體管路和氣動截止閥的MFC
** 直流偏壓：可達-500V自偏壓，-1000V外偏壓
** 全自動壓力控制
** 帶自動調節的600W 射頻電源，帶自動調諧器
** 水冷或加熱（最 高可加熱到400°C）樣品臺
** 260L/Sec抗腐蝕渦輪分子泵，配套合適的前級泵
** 基于計算機的全自動工藝控制，菜單驅動
** LabVIEW友好用戶界面
** EMO及完整的安全聯鎖

選配：

** ICP高密度等離子源用于高速刻蝕
** 用于各向同性刻蝕的等離子源
** 帶機械鎖緊的背氦冷卻用于DRIE
** 增加MFC
** 單片自動或Cassette-to-Cassette自動上下片
** 分子泵組升級
** 基片冷卻到-20°C并加熱到加熱到200°
** 光譜終點監測
** 靜電吸附托盤
** 支持12”的晶圓腔體
** 其它更大尺寸的基片刻蝕

應用：

** 復合半導體
** GaAs傳感器
** 光子學
** MEMS器件制造
** 硅深槽刻蝕
** 先進封裝中的等離子切割
** TSV制造中的通孔刻蝕
** 高精度運動傳感器
** 納米級刻蝕和微流控芯片
** 其它需要RIE刻蝕的應用

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