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320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測器
- 品牌:西安立鼎光電
- 型號: LD-FPA-320x256
- 產地:陜西 西安
- 供應商報價:面議
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西安立鼎光電科技有限公司
更新時間:2025-07-29 13:34:06
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銷售范圍售全國
入駐年限第4年
營業執照已審核
- 同類產品InGaAs短波面陣探測器(2件)
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詳細介紹
InGaAs面陣探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm,320x256分辨率,采用CLCC或Kovar氣密封裝,非制冷與制冷可選。
●大感光面
●高響應率
●高靈敏度
●高阻抗
●低暗電流
●高動態范圍
型號
FPA-320×256-C
FPA-320×256-K-TE1/TE2
FPA-320×256-K-2.2-TE1/TE2
材料
InGaAs
InGaAs
InGaAs
響應波段
0.9um-1.7um
0.9um-1.7um
1.2um-2.2um
圖像分辨率
320×256
320×256
320×256
像元尺寸
30um
30um
30um
靶面尺寸
9.6mm×7.68mm
9.6mm×7.68mm
9.6mm×7.68mm
封裝
44-pin CLCC
28-pin MDIP
28-pin MDIP
重量
1.6g
24.6g/25.6g
24.6g
有效像元率
>99.5%
>99%
>97%
暗電流
<0.4pA
≤0.4pA
≤10pA
量子效率
≥70%
≥70%
≥70%
填充率
>99%
>99%
>99%
串擾
<1%
<1%
/
探測率
≥5×1012J
≥5×1012J (TE1)
≥7.5×1012J(TE2)
≥1×1012J
響應非均勻性
≤10%
≤10%
≤40%
非線性(最大偏差)
≤2%
≤2%
≤2%
最大像素率
10MHz
10MHz
10MHz
增益
High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-
High:13.3uV/e-
Low:0.7 uV/e-
High:13.3uV/e-
Low:0.7 uV/e-
滿阱容量
High:170Ke- Low:3.5Me-
High:170Ke- Low:3.5Me-
High:170Ke- Low:3.5Me-
TEC 制冷
無
TE1/TE2
TE1/TE2
工作溫度
-20℃—85℃
-20℃—85℃
-20℃—85℃
儲存溫度
-40℃—85℃
-40℃—85℃
-40℃—85℃
功耗
175mw
175mw**
175mw**
**不帶制冷
●邊海防監控 ●太陽能電池檢查 ●半導體檢測 ●激光光斑檢測
●高光譜成像 ●醫療OCT成像 ●輔助駕駛視覺增強 ●森林防火
GEN3 SWIR
Visible SWIR
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