技術參數配置:

1.靶: 數量6個，大小1-2英寸，被激光照射時可自動旋轉，靶的選擇可通過步進電機控制;

2.基板:采用適合于氧氣環境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時基板可旋轉，工作環境最大壓力是300mtorr;

3.基板加熱電源，最高到1200度;

4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-7 Torr;

5.樣品傳輸室:不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;

6.排氣系統:分子泵和干式機械泵;

7.閥門: 采用超高真空擋板閥;

8.真空檢測:真空計;

9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;

10.薄膜生長監控系統: 采用掃描型差分RHEED;

11.監控軟件系統:基板溫度的監控和設定，基板和靶的旋轉，靶的更換等;

12.各種電流導入及測溫端子;

13.其它各種構造:各種超高真空位移臺，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等;