應用:從蝕刻晶圓片上移除光刻膠

流程配置: RIE/ICP

工作原理

。使用等離子體源，生成單原子反應種。

。氧是最常見的反應物質。反應性物質與光阻結合形成灰，

。用真空泵將其除去。

。ICP結構避免了高能離子轟擊和電容耦合，

。提供低襯底損傷。

可用氣體:  O2， N2O

主要性能:

。開放式設計，可快速加載和卸載晶圓。

。基片放置在石英上，以避免濺射/再沉積電極材料

。通過頂部電極上的“蓮蓬頭”進氣口將氣體注入工藝室

。電感耦合等離子體(ICP)和電極的獨立射頻發生器提供對離子能量和離子密度的獨立控制

。高電導泵浦端口提供高的氣體吞吐量，以最快的腐蝕速率

。使用等離子體源，生成單原子反應種。氧是最常見的反應物質。