PMEye-3000光致發光光譜成像（PL-Mapping）測量系統是卓立漢光zuixin研制的，用于LED外延片、半導體晶片、太陽能電池材料等，在生產線上的質量控制和實驗室中的產品研發檢測。該系統對樣品的PL譜進行Mapping二維掃描成像，掃描結果以3D方式進行顯示，使檢測結果更易于分析和比較。該系統的軟件窗口界面友好，操作簡單，只需簡單培訓就能使用。

測試原理：
PL（光致發光）是一種輻射復合效應。在一定波長光源的激發下，電子吸收激發光子的能量，向高能級躍遷而處于激發態。激發態是不穩定的狀態，會以輻射復合的形式發射光子向低能級躍遷，這種被發射的光稱為熒光。熒光光譜代表了半導體材料內部，一定的電子能級躍遷的機制，也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一種用于提供半導體材料的電學、光學特性信息的光譜技術，可以研究帶隙、發光波長、結晶度和晶體結構以及缺陷信息等等。
應用領域舉例：
LED外延片，太陽能電池材料，半導體晶片，半導體薄膜材料等檢測與研究。

主要特點：
◆ PLMapping測量
◆ 多種激光器可選
◆ Mapping掃描速度：180點/秒
◆ 空間分辨率：50um
◆ 光譜分辨率：0.1nm@1200g/mm
◆ Mapping結果以3D方式顯示
◆ 最大8的樣品測量
◆ 樣品精確定位
◆ 樣品真空吸附
◆ 可做低溫測量
◆ 膜厚測量

一體化設計，操作符合人體工學
PMEye3000 PL Mapping測量系統采用立式一體化設計，關鍵尺寸根據人體工學理論設計，不管是樣品的操作高度和電腦使用高度，都特別適合于人員操作。主機與操作平臺高度集成，方便于在實驗室和檢測車間里擺放。儀器側面設計有可收放平臺，可擺放液晶顯示器和鼠標鍵盤。儀器底部裝有滾輪，方便于儀器在不同場地之間的搬動。
模塊化設計
PMEye-3000 PL Mapping測量系統全面采用模塊化設計思想，可根據用戶的樣品特點來選擇規格配置，讓用戶有更多的選擇余地。激發光源、樣品臺、光譜儀、探測器、數據采集設備都實現了模塊化設計。
操作簡便、全電腦控制
PMEye-3000 PL Mapping測量系統，采用整機設計，用戶只需要根據需要放置檢測樣品，無需進行復雜的光路調整，操作簡便；所有控制操作均通過計算機來控制實現。
全新的樣品臺設計，采用真空吸附方式對樣品進行固定，避免了用傳統方式固定樣品而造成的損壞；可對常規尺寸的LED外延片樣品進行精確定位，提高測量重復精度。
兩種測量方式,用途更廣泛
系統采用直流和交流兩種測量模式，直流模式用于常規檢測，交流模式用于微弱熒光檢測。
監控激發光源,校正測量結果
一般的PL測量系統只是測量熒光的波長和強度，而沒有對激發光源進行監控，而激發光源的不穩定性將會對PL測量結果造成影響。PMEye-3000 PL Mapping測量系統增加對激光強度的監控，并根據監控結果來對PL測量進行校正。這樣就可以消除激發光源的不穩定帶來的測量誤差。
激光器選配靈活
PMEye-3000 PL Mapping測量系統有多種高穩定性的激光器可選，系統最多可內置2個激光器和一個外接激光器，標配為1個405nm波長高穩定激光器。用戶可以根據測量對象選配不同的激光器，使PL檢測更加jing準。
可選配的激光器波長有： 405nm，442nm，532nm、785nm、808nm等，外置選配激光器波長為：325nm。
自動Mapping功能
PMEye-3000 PL Mapping測量系統配置200×200mm的二維電控位移臺，最大可測量8英寸的樣品。用戶可以根據不同的樣品規格來設置掃描區域、掃描步長、掃描速度等，掃描速度可高達每秒180個點，空間分辨率可達50um。掃描結果以3D方式顯示，以不同的顏色來表示不同的熒光強度。
軟件功能豐富,操作簡便
我們具有多年的測量系統操作軟件開發經驗，,熟悉試驗測量需求和用戶的操作習慣，從而使開發的這套PMEye-3000操作軟件功能強大且操作簡便。
MEye-3000操作軟件提供單點PL光譜測量及顯示，單波長的X-Y Mapping測量，給定光譜范圍的X-Y Mapping測量及根據測量數據進行峰值波長、峰值強度、半高寬、給定波長范圍的熒光強度計算并以Mapping顯示，Mapping結果以3D方式顯示。同時具有多種數據處理方式來對所測量的數據進行處理。
低溫樣品室附件
該附件可實現樣品在低溫狀態下的熒光檢測。
有些樣品在不同的溫度條件下，將呈現不同的熒光效果，這時就需要對樣品進行低溫制冷。
如圖所示，從圖中我們可以發現在室溫時，GaN薄膜的發光波長幾乎涵蓋整個可見光范圍，且強度的最高峰出現在580nm附近，但整體而言其強度并不強；隨著溫度的降低，發光強度開始慢慢的增加，直到110K時，我們可以發現在350nm附近似乎有一個小峰開始出現，且當溫度越降越低，這個小峰強度的增加也越顯著，一直到zuidi溫25K時，基本上就只有一個熒光峰。
GaN薄膜的禁帶寬度在室溫時為3.40Ev,換算成波長為365nm，而我們利用PL系統所測的GaN薄膜在25K時在356.6nm附近有一個峰值，因此如果我們將GaN薄膜的禁帶寬度隨溫度變化情況也考慮進去，則可以發現在理論上25K時GaN的禁帶寬度為3.48eV，即特征波長為357.1nm，非常靠近實驗所得的356.6nm，因此我們可以推斷這個發光現象應該就是GaN薄膜的自發輻射。