專門為電子束敏感樣品和需最大300萬倍穩定觀察的先進半導體器件，高分辨成像所設計。

特色

• 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
  0.4 nm / 30 kV (SE)
  1.2 nm / 1 kV (SE)
  0.34 nm / 30 kV (STEM)

• 用改良的高真空性能和無與倫比的電子束穩定性來實現高效率截面觀察。

• 采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。