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儀器網>產品中心> 濱松光子學商貿(中國)有限公司>失效分析系統>iPHEMOS-MP倒置發射顯微鏡 C10506-06-16

iPHEMOS-MP倒置發射顯微鏡 C10506-06-16

面議 (具體成交價以合同協議為準)
日本濱松 C10506-06-16 亞洲 日本 2025-08-11 16:34:22
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產品特點:


iPHEMOS-MP倒置微光顯微鏡是一款半導體失效分析系統,通過檢測半導體裝置缺陷引起的微弱的光發射和熱發射來準確定位半導體器件失效的位置。利用其倒置型設計,iPHEMOS-MP對半導體器件的背面進行探測分析,并可結合Tester順利進行各種類型的分析。iPHEMOS-MP包含一個激光掃描系統,可以獲得高分辨率的圖像。不同類型的探測器可以用來實現各種分析技術,比如發射分析、熱分析、紅外-光致阻值改變(IR-OBIRCH)分析等。當結合專用探測器進行背面觀察,iPHEMOS-MP支持從wafer到單個芯片的靈活測量。


●iPHEMOS-MP
通過安裝300 mm晶圓探針,支持從單個芯片到晶圓的測量。 可通過探針卡進行多針接觸,并在PC板上進行樣品觀察。 通過電纜連接也可以使用LSI測試儀驅動進行動態分析。


產品詳情:

連接示例

產品特征

● 可安裝用于光發射分析和熱分析的兩個超高靈敏度相機


● 可安裝最多3個波長的激光器和一個EOP探頭光源


● 配備適合不同樣品的光學工作臺


● 高靈敏度微距鏡頭和最多10個適合每個探測器靈敏度波長的鏡頭


產品選配

● 激光掃描系統
● 高靈敏度近紅外相機進行光發射分析
● 高靈敏度中紅外相機進行熱分析
● 紅外-光致阻值改變(IR-OBIRCH)分析
● 激光輻射動態分析
● EO偵測分析
● 納米透鏡進行高分辨率、高靈敏度分析?
● 連接到CAD導航
● 連接到LSI測試儀

顯示功能

疊加顯示/對比度增強功能

iPHEMOS-MP將發光圖像疊加到高分辨率模板圖像上來快速定位缺陷點。對比度增強功能可使圖像更清晰,細節更多。


顯示功能

  • ● 注釋
    ● 圖像的任何位置都可以顯示評論、箭頭等注釋符號。
  • ● 比例顯示
    ● 可使用分段,在圖像上顯示比例寬度。
  • ● 柵格顯示
    ● 圖像上可顯示水平和垂直柵格。
  • ● 縮略圖顯示
    ● 圖像可以以縮略圖的形式存儲和調用,stage坐標等圖像信息也可顯示。
  • ● 分屏顯示
    ● 圖案影像、發射圖像、疊加圖像以及參考圖像可一次顯示在4個窗口的屏幕上。



詳細參數
線性電壓AC 200 V (50 Hz/60 Hz)
功耗Approx. 1400 VA (Max. 3300 VA)
真空Approx. 80 kPa or more
氣壓0.5 MPa to 0.7 MPa
尺寸/重量Main unit: 1740 mm (W)×1150 mm (D)×1770 mm (H), Approx. 1400 kg
Control rack: 880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg
Optional desk: 1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 60 kg

* iPHEMOS-MP主體機臺包括探針臺和其他相連接的裝置。

相關下載

Failure Analysis Systems Option: Emmi-X camera C8520-45 series (Near-infrared photo emission camera) [644 KB/PDF]

Failure Analysis Systems Option: InSbHS camera C9985-05 [668 KB/PDF]

Failure Analysis Systems Option: Thermal NanoLens [351 KB/PDF]

Failure Analysis Systems Option: NanoLens-SHR [635 KB/PDF]

C10506-04-16Failure Analysis Systems Option: Electro Optical Probing Unit [406 KB/PDF]

技術資料

  • iPHEMOS-MP倒置發射顯微鏡 C10506-06-16產品樣冊
    iPHEMOS-MP倒置微光顯微鏡是一款半導體失效分析系統,通過檢測半導體裝置缺陷引起的微弱的光發射和熱發射來準確定位半導體器件失效的位置。利用其倒置型設計,iPHEMOS-MP對半導體器件的背面進行探測分析,并可結合Tester順利進行各種類型的分析。iPHEMOS-MP包含一個激光掃描系統,可以獲得高分辨率的圖像。不同類型的探測器可以用來實現各種分析技術,比如發射分析、熱分析、紅外-光致阻值改變(IR-OBIRCH)分析等。當結合專用探測器進行背面觀察,iPHEMOS-MP支持從wafer到單個芯片的靈活測量。●iPHEMOS-MP通過安裝300 mm晶圓探針,支持從單個芯片到晶圓的測量。 可通過探針卡進行多針接觸,并在PC板上進行樣品觀察。 通過電纜連接也可以使用LSI測試儀驅動進行動態分析。

    上傳人:濱松光子學商貿(中國)有限公司

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