●樣品尺寸：４英寸基片向下兼容 ●10個源爐接口，其他數量可定制 ●具有快速進樣及傳樣的特點；最多暫存5片樣品，其他數量可定制 ●兼容SPM、RHEED、QCM、BFM等多種原位生長表征和監測手段 ●全自動化生長系統，可對各腔體真空泵實施操作、可控制各互聯腔體插板閥、可進行工藝編程及實時監控系統狀態；19寸觸控式總控屏幕 ●集成化水電氣模塊，便于后期維護

全球專業的沉積設備制造商，為各個領域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等。

激光分子束外延(Laser MBE)是上個世紀90年代發展起來的一種新型高精密制膜技術，它集PLD的制膜特點和傳統MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長的原位實時監控為一體，除保持了PLD方法制備的膜系寬，還可以生長通常的半導體超晶格材料，特別適合生長多元素、高熔點、復雜層狀結構的薄膜，如超導體、光學晶體、鐵電體、壓電體、鐵磁體以及有機高分子等。

獨立的MAPLE PLD系統。 有機和聚合物薄膜的沉積。 在同一室的附加沉積源(可選):脈沖電子沉積(PED)、射頻/直流濺射和直流離子源。 負載鎖定基底階段。 與XPS分析系統集成，晶片就地從PLD系統轉移到分析系統

OCTOPLUS 400 是一款通用型MBE系統，非常適合于III/V族， II/VI族，及其他復合半導體材料應用。兼容2-4英寸標準晶片。豎直分割式腔體設計，可以裝配各種源爐，實現不同材料分子束外延生長。

OCTOPLUS 500 MBE系統是為了在6英寸襯底上生長高質量的III/V族或者II-VI族異質結構材料而研發專業分子束外延系統。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標準的OCTOPLUS 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據需要增選3個源孔。

荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統，脈沖激光沉積原理：在真空環境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。激光分子束外延系統（LMBE），是在PLD的基礎上發展起來的外延薄膜生長技術。