- 2025-01-10 10:49:41超高溫真空燒結爐
- 超高溫真空燒結爐是一種在超高溫度和真空環境下進行材料燒結的設備。它主要用于高溫材料的合成、陶瓷材料的致密化、金屬材料的熱處理及特種材料的制備。該設備具有控溫精確、真空度高、燒結質量穩定等特點，能顯著提高材料的性能和品質。廣泛應用于航空航天、電子封裝、磁性材料、硬質合金等領域。
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超高溫真空燒結爐問答
- 2023-07-29 11:31:59真空BNC連接器產品優勢
- 同軸真空BNC接頭是一種常見的射頻連接器，廣泛應用于射頻和微波通信、數據處理及測量設備。BNC（Bayonet Neill-Concelman）接頭是由美國的Paul Neill和Carl Concelman于1945年發明的。以下是同軸真空BNC接頭的一些特點和優勢：1. 易于連接和斷開：BNC接頭采用了快速卡口式結構，使得連接和斷開變得非常方便。用戶只需將插頭插入座子，然后旋轉90度即可完成連接。2. 較低的插損：同軸真空BNC接頭的設計使得在連接過程中的信號損失較低，提高了設備的性能。3. 良好的屏蔽性能：BNC接頭具有良好的屏蔽性能，能有效阻止外部電磁干擾，確保信號的穩定傳輸。4. 兼容性強：BNC接頭廣泛應用于各種設備之間的連接，具有很強的通用性和兼容性。5. 經濟實用：同軸真空BNC接頭的生產成本相對較低，使得它在許多應用場景中成為主要的連接器。6. 頻率范圍：BNC接頭的工作頻率范圍可達到4 GHz，適用于多種射頻和微波通信場景。7. 真空兼容性：同軸真空BNC接頭經過特殊處理，可在真空環境中使用，適用于高真空和超高真空系統。需要注意的是，隨著通信技術的發展，BNC接頭的頻率范圍可能不足以滿足一些高性能應用的需求。在這種情況下，可以考慮使用其他更高頻率的同軸連接器，如SMA、N型等。
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- 2023-02-15 14:54:00真空蒸發鍍膜技術原理
- 真空蒸發鍍膜技術原理 一、蒸發鍍膜簡述：真空蒸發鍍膜（簡稱真空蒸鍍）是指在真空室中，加熱蒸發容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，入射到固體（稱為襯底或基片）表面，凝結形成固態薄膜的方法。由于真空蒸發法或真空蒸鍍法主要物理過程是通過加熱蒸發材料而產生，所以又稱熱蒸發法或者熱蒸鍍，所配套的設備稱之為熱蒸發真空鍍膜機。這種方法zui早由M.法拉第于1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。 盡管后來發展起來的濺射鍍和離子鍍在許多方面要比蒸鍍優越，但真空蒸發技術仍有許多優點，如設備與工藝相對比較簡單，即可鍍制非常純凈的膜層，又可制備具有特定結構和性質的膜層等，仍然是當今非常重要的鍍膜技術。近年來，由于電子轟擊蒸發，高頻感應蒸發及激光蒸發等技術在蒸發鍍膜技術中的廣泛應用，使這一技術更趨完善。 近年來，該法的改進主要是在蒸發源上。為了抑制或避免薄膜原材料與蒸發加熱器發生化學反應，改用耐熱陶瓷坩堝，如 BN坩堝。為了蒸發低蒸氣壓物質，采用電子束加熱源或激光加熱源。為了制造成分復雜或多層復合薄膜，發展了多源共蒸發或順序蒸發法。為了制備化合物薄膜或抑制薄膜成分對原材料的偏離，出現了反應蒸發法等。 二、熱蒸鍍工作原理： 真空蒸發鍍膜包括以下三個基本過程∶（1）加熱蒸發過程。包括由凝聚相轉變為氣相（固相或液相→氣相）的相變過程。每種蒸發物質在不同溫度時有不相同的飽和蒸氣壓;蒸發化合物時，其組分之間發生反應，其中有些組分以氣態或蒸氣進入蒸發空間。（2）氣化原子或分子在蒸發源與基片之間的輸運過程，即這些粒子在環境氣氛中的飛行過程。飛行過程中與真空室內殘余氣體分子發生碰撞的次數，取決于蒸發原子的平均自由程，以及從蒸發源到基片之間的距離，常稱源-基距。（3）蒸發原子或分子在基片表面上的沉積過程，即是蒸氣凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜。由于基板溫度遠低于蒸發源溫度，因此，沉積物分子在基板表面將直接發生從氣相到固相的相轉變過程。將膜材置于真空鍍膜室內，通過蒸發源加熱使其蒸發，當蒸發分子的平均自由程大于真空鍍膜室的線性尺寸時，蒸汽的原子和分子從蒸發源表面逸出后，在飛向基片表面過程中很少受到其他粒子（主要是殘余氣體分子）的碰撞阻礙，可直接到達被鍍的基片表面，由于基片溫度較低，便凝結其上而成膜，為了提高蒸發分子與基片的附著力，對基片進行適當的加熱是必要的。為使蒸發鍍膜順利進行，應具備蒸發過程中的真空條件和制膜過程中的蒸發條件。 蒸發過程中的真空條件：真空鍍膜室內蒸汽分子的平均自由程大于蒸發源與基片的距離（稱做蒸距）時，就會獲得充分的真空條件。為此，增加殘余氣體的平均自由程，借以減少蒸汽分子與殘余氣體分子的碰撞概率，把真空鍍膜室抽成高真空是非常必要的。否則，蒸發物原子或分子將與大量空氣分子碰撞，使膜層受到嚴重污染，甚至形成氧化物；或者蒸發源被加熱氧化燒毀；或者由于空氣分子的碰撞阻擋，難以形成均勻連續的薄膜。 三、真空蒸鍍特點: 優點：設備比較簡單 、操作容易；制成的薄膜純度高、質量好，厚度可較準確控制；成膜速率快，效率高；薄膜的生長機理比較簡單；缺點：不容易獲得結晶結構的薄膜；所形成的薄膜在基板上的附著力較小；工藝重復性不夠好等。 四、蒸發源的類型及選擇： 蒸發源是用來加熱膜材使之氣化蒸發的裝置。目前所用的蒸發源主要有電阻加熱，電子束加熱，感應加熱，電弧加熱和激光加熱等多種形式。電阻加熱蒸發裝置結構較簡單，成本低，操作簡便，應用普遍。電阻加熱式蒸發源的發熱材料一般選用W、Mo、Ta、Nb等高熔點金屬，Ni、Ni-Cr合金。把它們加工成各種合適的形狀，在其上盛裝待蒸發的膜材。一般采用大電流通過蒸發源使之發熱，對膜材直接加熱蒸發，或把膜材放入石墨及某些耐高溫的金屬氧化物（如Al2O3，BeO）等材料制成的坩堝中進行間接加熱蒸發。采用電阻加熱法時應考慮的問題是蒸發源的材料及其形狀，主要是蒸發源材料的熔點和蒸氣壓，蒸發源材料與薄膜材料的反應以及與薄膜材料之間的濕潤性。因為薄膜材料的蒸發溫度（平衡蒸氣壓為1. 33 Pa時的溫度）多數在1 000 ~2 000 K之間，所以蒸發源材料的熔點需高于這一溫度。而且．在選擇蒸發源材料時必須考慮蒸發源材料大約有多少隨蒸發而成為雜質進入薄膜的問題。因此，必須了解有關蒸發源常用材料的蒸氣壓。為了使蒸發源材料蒸發的分子數非常少，蒸發溫度應低于蒸發源材料平衡蒸發壓為1. 33×10-6Pa時的溫度。在雜質較多時，薄膜的性能不受什么影響的情況下，也可采用與1. 33×10-2Pa對應的溫度。綜上所述，蒸發源材料的要求：1、高熔點：必須高于待蒸發膜材的熔點（常用膜材熔點1000～2000℃）2、飽和蒸氣壓低：保證足夠低的自蒸發量，不至于影響系統真空度和污染膜層3、化學性能穩定：在高溫下不應與膜材發生反應，生成化合物或合金化4、良好的耐熱性5、原料豐富、經濟耐用 蒸發材料對蒸發源材料的“濕潤性”：選擇蒸發源材料時，必須考慮蒸鍍材料與蒸發材料的“濕潤性”問題。蒸鍍材料與蒸發源材料的濕潤性”與蒸發材料的表面能大小有關。高溫熔化的蒸鍍材料在蒸發源上有擴展傾向時，可以認為是容易濕潤的;如果在蒸發源上有凝聚而接近于形成球形的傾向時，就可以認為是難干濕潤的在濕潤的情況下，材料的蒸發是從大的表面上發生的且比較穩定，可以認為是面蒸發源的蒸發;在濕潤小的時候，一般可認為是點蒸發源的蒸發。如果容易發生濕潤，蒸發材料與蒸發源十分親和，蒸發狀態穩定;如果是難以濕潤的，在采用絲狀蒸發源時，蒸發材料就容易從蒸發源上掉下來。 五、合金與化合物的蒸發： 1、合金的蒸發：采用真空蒸發法制作預定組分的合金薄膜，經常采用瞬時蒸發法、雙蒸發源法。分餾現象：當蒸發二元以上的合金及化合物時，蒸發材料在氣化過程中，由于各成分的飽和蒸氣壓不同，使得其蒸發速率也不同，得不到希望的合金或化合物的比例成分，這種現象稱為分餾現象。（1）瞬時蒸發法：瞬時蒸發法又稱“閃爍”蒸發法。將細小的合金顆粒，逐次送到非常熾熱的蒸發器中，使一個一個的顆粒實現瞬間完全蒸發。關鍵以均勻的速率將蒸鍍材料供給蒸發源粉末粒度、蒸發溫度和粉末比率。如果顆粒尺寸很小，幾乎能對任何成分進行同時蒸發，故瞬時蒸發法常用于合金中元素的蒸發速率相差很大的場合。優點：能獲得成分均勻的薄膜，可以進行摻雜蒸發等。缺點：蒸發速率難以控制，且蒸發速率不能太快。 （2）雙源蒸發法：將要形成合金的每一成分，分別裝入各自的蒸發源中，然后獨立地控制各個蒸發源的蒸發速率，使達到基板的各種原子與所需合金薄膜的組成相對應。為使薄膜厚度分布均勻，基板常需要進行轉動。2、化合物的蒸發：化合物的蒸發方法：（1）電阻加熱法（2）反應蒸發法（3）雙源或多源蒸發法（4）三溫度法（5）分子束外延法反應蒸發法主要用于制備高熔點的絕緣介質薄膜，如氧化物、氮化物和硅化物等。而三溫度法和分子外延法主要用于制作單晶半導體化合物薄膜，特別是III-V族化合物半導體薄膜、超晶格薄膜以及各種單晶外延薄膜等。 將活性氣體導入真空室，使活性氣體的原子、分子和從蒸發源逸出的蒸發金屬原子、低價化合物分子在基板表面淀積過程中發生反應，從而形成所需高價化合物薄膜的方法。不僅用于熱分解嚴重，而且用于因飽和蒸氣壓較低而難以采用電阻加熱蒸發的材料。經常被用來制作高熔點的化合物薄膜，特別是適合制作過渡金屬與易分解吸收的02， N2等反應氣體所組成的化合物薄膜（例如SiO2、ZrN、AlN、SiC薄膜）。在反應蒸發中，蒸發原子或低價化合物分子與活性氣體發生反應的地方有三種可能，即蒸發源表面、蒸發源到基板的空間和基板表面。
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- 2023-10-11 18:02:43請教質譜儀真空腔體的表面處理!
- 最近有接觸到質譜的真空腔體，拆機后發現腔內（鋁合金基材)表面像做了鏟花一樣的紋路，見附圖，請教各位大神，這是什么表面處理？有什么益處？謝謝指點！
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- 2023-06-09 10:56:04【“熱”學簡書】真空釬焊
- 弗爾德每周知識小百科旨在分享材料科學領域的科普知識，探索未知，激發熱情。每周一小步，材料科學發展一大步。真空釬焊真空焊接和釬焊將不同材質連接在一起電子元件的真空焊接和釬焊是一種典型的熱處理應用，例如衛星和航空器的電子元件必須耐受極端環境如真空、極高溫度。制造此類可靠的電子元件需要將不同材質焊接在一起。真空焊接和釬焊將不同材質連接在一起，將金屬與金屬、絕緣體與金屬進行焊接。釬劑必須耐高溫，適用于真空環境，不允許氣化。使用釬劑的主要目的是去除殘留氧化物，減少表面張力，改善焊件的潤濕性。然而，暴露在真空或高溫環境下，這會對電子元件的釬劑產生不利影響。含有酸和鹽的釬劑材料在高蒸汽壓下容易氣化。耐受極端環境的元件生產，需要具有特殊功能的爐子，它能保證熱處理過程處于完全密封的真空環境下進行。根據處理樣品材料和焊料的需求，爐子溫度需要調整到1200 °C左右，這要求爐子有良好的溫度均勻性和穩定性。數據記錄也是一個重要因素。例如，異種材料的焊接過程中，在填料轉變成液態之前，必須有一個準確溫度。因此，爐子需要具有可控性和重復性的數據記錄系統。工藝步驟適配的爐型卡博萊特·蓋羅HBO罩式爐是一種鉬或鎢金屬爐，適用于高壓或超高壓環境的真空設備，能夠滿足真空下釬焊和焊接的所有要求。為了滿足用戶的真空需求，HBO能夠將泄漏率降低至10-3 mbar l/s以下，并配有高真空泵系統。真空環境下熱傳導僅可能通過熱輻射（普朗克輻射定律）來實現良好的溫度均勻性，即加熱區域的溫度梯度為± 3 °C。HBO加熱區由可控硅控制，保證了較高的溫度穩定性。微分時間小于± 1 °C。設備運行無震動，確保電氣連接點表面光亮無氧化，信號傳輸不失真。
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- 2023-07-31 11:10:19新品——全自動真空趕酸儀AE100
- 全自動真空趕酸儀AE100——針對趕酸實驗的微量液位傳感器，可在高溫濃酸條件下，精確測量微小體積， 特別是趕酸接近終點時的極低液位。利用該傳感器，AE100 實現了終點體積自動識別，并自動停止加熱、 啟動強制冷卻，實驗員們再也不用頻繁奔走、逐個檢查液位了！普通趕酸器：效果最差，其劣勢表現在加熱不均勻，產生大量的酸氣，污染實驗室環境；需要人工頻繁逐個檢查液位；降溫緩慢，等待時間長真空趕酸儀：仍需要人工頻繁檢查液位；酸氣冷凝中和，減少排放；長方形加熱器加熱不均勻；人工一個個擰蓋，裝樣和取樣都非常繁瑣；降溫緩慢，等待時間長。全自動真空趕酸儀AE100：真正全自動自動終點識別，自動停止加熱，自動升降臂將消解管全部升起，脫離加熱器，并啟動冷卻風扇強制降溫，無需過多等待；環形石墨加熱器，均勻性好；酸氣冷凝、收集，可重復使用，尾氣被中和，在線pH監控。1、AE100 采用真空（負壓）方式蒸發酸液，效率高，可在 40 分鐘之內將 10mL 酸蒸發至 1.5mL。此外，預熱和降溫都非常迅速。1 小時左右即可處理 20 個樣品！2、對加熱和氣體分配均做了優設計，樣品之間的差異性被最小化，以確保一致的趕酸速率。3、在確保效率和均勻性的同時，AE100 保證了優異的回收率。 即使是最易揮發的汞元素，AE100 依然得心應手。以柑橘葉成分分析標準物質為例，AE100 的趕酸回收率 相當出色！4、憑借優異的回收率，AE100 蒸發出來的酸氣是非常潔凈的，而趕酸產生的大量酸氣，如果直接排入通風柜，是非常可惜的，而且會對整個實驗室的通風系統造成巨大污染，甚至會倒灌進其他實驗室。針對該問題，AE100 配置了Amerlab 專有的酸氣吸收裝置，廢氣被冷凝、收集、酸液中和、在線 pH 檢測、固體中和，最后才會排出。利用該裝置，AE100 無需占用通風柜。5、不同于常規真空趕酸器需要人工逐個擰蓋子，裝樣和取樣都非常繁瑣，AE100 采用獨有的頂蓋集成式密封模塊，一步操作，即可完成所有消解管的密封。AE100操作軟件采用引導式設計，只需按照提示一步步執行，即可完成整個測試，即使毫無化學背景的門外漢，也可輕松搞定！轉載自：http://www.hzxpz.com/
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