
- 2025-01-21 09:36:26納米顆粒粒徑
- 納米顆粒粒徑是指納米顆粒的大小或直徑,是描述納米材料基本物理特性的重要參數。它直接影響納米顆粒的光學、電學、磁學及催化等性能。粒徑的測量通常采用動態光散射、電子顯微鏡、X射線衍射等方法。不同粒徑的納米顆粒在生物醫學、材料科學、環境保護等領域具有廣泛的應用,如藥物輸送、催化劑制備、污染物處理等。控制納米顆粒的粒徑對于優化其性能和應用至關重要。
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納米顆粒粒徑問答
- 2018-11-30 15:57:50粒徑分析儀測得的納米顆粒粒徑的準確率多大
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- 2022-04-24 16:42:23納米多孔氧化鋁
- 本品為化學法合成的白色球形粉末,無重金屬、 無放射性元素。物理指標①晶相 γ相②AI2O3含量 ≥99.9③ 介孔 0.38④ 原晶粒度 50-60納米化學指標①本品用于噴墨打印紙的涂層, 為紙張提高光澤。②増加涂料的耐磨性,具有助流、 提高上粉率、防結塊等特點應用范圍①導熱硅膠②電子灌封膠③粉末涂料公眾號搜索粉體圈,聯系報價。聯系方式:400-869-9320轉8990更多信息進入店鋪查看:https://www.360powder.com/shop.html?shop_id=1727
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- 2023-04-20 09:37:22BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta
- BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta 電位分析儀BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及 Zeta 電位分析儀——背向 + 90°散射粒度 + Zeta 電位三合一型儀 器 簡 介BeNano 180 Zeta Pro 納米粒度及Zeta電位分析儀是BeNano 90+BeNano 180+BeNano Zeta 三合一的頂 級光學檢測系統。該系統中集成了背向 +90°動態光散射 DLS、電泳光散射 ELS和靜態光散射技術 SLS,可以準確的檢測顆粒的粒徑及粒徑分布,Zeta 電位,高分子和蛋白體系的分子量信息等參數,可廣泛的應用于化學、化工、生物、制藥、食品、材料等領域的基礎研究和質量分析與控制。指標與性能Index&performance粒徑測試原理:動態光散射技術粒徑范圍:0.3 nm – 15 μm樣品量:3 μL - 1 mL檢測角度:173°+90°+12°分析算法:Cumulants、通用模式、CONTIN、NNLSZeta電位測試原理:相位分析光散射技術檢測角度:12°Zeta范圍:無實際限制電泳遷移率范圍:> ±20 μ.cm/V.s電導率范圍:0 - 260 mS/cmZeta測試粒徑范圍:2 nm – 110 μm分子量測試分子量范圍:342 Da – 2 x 107 Da微流變測試頻率范圍:0.2 – 1.3 x 107 rad/s測試能力:均方位移、復數模量、彈性模量、粘性模量、蠕變柔量粘度和折光率測試粘度范圍:0.01 cp – 100 cp折光率范圍:1.3-1.6趨勢測試模式:時間和溫度系統參數溫控范圍:-15° C - 110° C+/- 0.1°C冷凝控制:干燥空氣或者氮氣標準激光光源:50 mW 高性能固體激光器, 671 nm相關器:最快25 ns采樣,最多 4000 通道,1011 動態線性范圍檢測器:APD (高性能雪崩光電二極管)光強控制:0.0001% - 100%,手動或自動軟件中文和英文符合21CFR Part 11原理圖儀器檢測檢測參數顆粒體系的光強、體積、面積和數量分布顆粒體系的 Zeta 電位及其分布分子量分布系數 PD.I擴散系數 D流體力學直徑 D H顆粒間相互作用力因子 k D溶液粘度檢測技術動態光散射電泳光散射靜態光散射
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- 2022-07-14 15:06:51淺談掃描俄歇納米探針
- 簡介 掃描俄歇納米探針,又稱俄歇電子能譜(Auger Electron Spectroscopy,簡稱AES)是一種表面科學和材料科學的分析技術。根據分析俄歇電子的基本特性得到材料表面元素成分(部分化學態)定性或定量信息。可以對納米級形貌進行觀察和成分表征。近年來,隨著超高真空和能譜檢測技術的發展,掃描俄歇納米探針作為一種極為有效的表面分析工具,為探索和研究表面現象的理論和工藝問題,做出了巨大貢獻,日益受到科研工作者的普遍重視。俄歇電子能譜常常應用在包括半導體芯片成分表征等方向發展歷史 近年來,固體表面分析方法獲得了迅速的發展,它是目前分析化學領域中最活躍的分支之一。它的發展與催化研究、材料科學和微型電子器件研制等有關領域內迫切需要了解各種固體表面現象密切相關。各種表面分析方法的建立又為這些領域的研究創造了很有利的條件。在表面組分分析方法中,除化學分析用光電子能譜以外,俄歇電子能譜是最重要的一種。目前它已廣泛地應用于化學、物理、半導體、電子、冶金等有關研究領域中。 俄歇現象于1925年由P.Auger發現。28 年以后,J.J.Lander從二次電子能量分布曲線中第一次辨認出俄歇電子譜線, 但是由于俄歇電子譜線強度低,它常常被淹沒在非彈性散射電子的背景中,所以檢測它比較困難。 1968年,L.A.Harris 提出了一種“相敏檢測”方法,大大改善了信噪比,使俄歇信號的檢測成為可能。以后隨著能量分析器的完善,使俄歇譜儀達到了可以實用的階段。 1969年圓筒形電子能量分析器應用于AES, 進一步提高了分析的速度和靈敏度。 1970年通過掃描細聚焦電子束,實現了表面組分的兩維分布的分析(所得圖像稱俄歇圖),出現了掃描俄歇微探針儀器。 1972年,R.W.Palmberg利用離子濺射,將表面逐層剝離,獲得了元素的深度分析,實現了三維分析。至此,俄歇譜儀的基本格局已經確定, AES已迅速地發展成為強有力的固體表面化學分析方法,開始被廣泛使用。基本原理 俄歇電子是由于原子中的電子被激發而產生的次級電子。當原子內殼層的電子被激發形成一個空穴時,電子從外殼層躍遷到內殼層的空穴并釋放出光子能量;這種光子能量被另一個電子吸收,導致其從原子激發出來。這個被激發的電子就是俄歇電子。這個過程被稱為俄歇效應。Auger electron emission 入射電子束和物質作用,可以激發出原子的內層電子。外層電子向內層躍遷過程中所釋放的能量,可能以X光的形式放出,即產生特征X射線,也可能又使核外另一電子激發成為自由電子,這種自由電子就是俄歇電子。對于一個原子來說,激發態原子在釋放能量時只能進行一種發射:特征X射線或俄歇電子。原子序數大的元素,特征X射線的發射幾率較大,原子序數小的元素,俄歇電子發射幾率較大,當原子序數為33時,兩種發射幾率大致相等。因此,俄歇電子能譜適用于輕元素的分析。 如果電子束將某原子K層電子激發為自由電子,L層電子躍遷到K層,釋放的能量又將L層的另一個電子激發為俄歇電子,這個俄歇電子就稱為KLL俄歇電子。同樣,LMM俄歇電子是L層電子被激發,M層電子填充到L層,釋放的能量又使另一個M層電子激發所形成的俄歇電子。 只要測定出俄歇電子的能量,對照現有的俄歇電子能量圖表,即可確定樣品表面的成份。由于一次電子束能量遠高于原子內層軌道的能量,可以激發出多個內層電子,會產生多種俄歇躍遷,因此,在俄歇電子能譜圖上會有多組俄歇峰,雖然使定性分析變得復雜,但依靠多個俄歇峰,會使得定性分析準確度很高,可以進行除氫氦之外的多元素一次定性分析。同時,還可以利用俄歇電子的強度和樣品中原子濃度的線性關系,進行元素的半定量分析,俄歇電子能譜法是一種靈敏度很高的表面分析方法。其信息深度為5nm以內,檢出限可達到0.1%atom。是一種很有用的分析方法。系統組成 AES主要由超高真空系統、肖特基場發射電子槍、CMA同軸式筒鏡能量分析器、五軸樣品臺、離子槍等組成。以ULVAC-PHI的PHI 710舉例,其核心分析能力為25 kV肖特基熱場發射電子源,與筒鏡式電子能量分析器CMA同軸。伴隨著這一核心技術是閃爍二次電子探測器、 高性能低電壓浮式氬濺射離子槍、高精度自動的五軸樣品臺和PHI創新的儀器控制和數據處理軟件包:SmartSoft AES ? 和 MultiPak ?。并且,目前ULVAC-PHI的PHI 710可以擴展冷脆斷樣品臺、EDS、EBSD、BSE、FIB等技術,深受廣大用戶認可。PHI710激發源,分析器和探測器結構示意圖: 為滿足當今納米材料的應用需求,PHI 710提供了最高穩定性的 AES 成像平臺。隔聲罩、 低噪聲電子系統、 穩定的樣品臺和可靠的成像匹配軟件可實現 AES對納米級形貌特征的成像和采譜。 真正的超高真空(UHV)可保證分析過程中樣品不受污染,可進行明確、準確的表面表征。測試腔室的真空是由差分離子泵和鈦升華泵(TSP)抽氣實現的。肖特基場發射源有獨立的抽氣系統以確保發射源壽命。最新的磁懸浮渦輪分子泵技術用于系統粗抽,樣品引入室抽真空,和差分濺射離子槍抽氣。為了連接其他分析技術,如EBSD、 FIB、 EDS 和BSE,標配是一個多技術測試腔體。 PHI 710 是由安裝在一個帶有 Microsoft Windows ? 操作系統的專用 PC 里的PHI SmartSoft-AES 儀器操作軟件來控制的。所有PHI電子光譜產品都包括執行行業標準的 PHI MultiPak 數據處理軟件用于獲取數據的最大信息。710 可應用互聯網,使用標準的通信協議進行遠程操作。AES的應用 掃描俄歇納米探針可分析原材料(粉末顆粒,片材等)表面組成,晶粒觀察,金相分布,晶間晶界偏析,又可以分析材料表面缺陷如納米尺度的顆粒物、磨痕、污染、腐蝕、摻雜、吸附等,還具備深度剖析功能表征鈍化層,包覆層,摻雜深度,納米級多層膜層結構等。AES的分析深度4-50 ?,二次電子成像的空間分辨可達 3納米,成分分布像可達8納米,分析材料表面元素組成 (Li ~ U),是真正的納米級表面成分分析設備。可滿足合金、催化、半導體、能源電池材料、電子器件等材料和產品的分析需求。AES 應用的幾種例子,從左到右為半導體FIB-cut,鋰電陰極向陶瓷斷面分析小結本文小編粗淺的介紹了俄歇電子能譜AES的一些基礎知識,后續我們還會提供更有價值的知識和信息,希望大家持續關注“表面分析家”!
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- 2023-04-25 09:25:28Nicomp? 在線粒度儀用于納米藥物粒度監測
- 在過去的幾十年中,納米醫學研究發展迅速,大部分重 點放在藥物輸送上。納米顆粒具有降低毒性和副作用等優點,控制這些納米粒子的大小至關重要。Nicomp系列的大部分粒度測量是在實驗室進行的,但現在已經有在生產線中進行粒度測量的產品——Nicomp? 在線粒度儀。本應用說明介紹了 Bind Therapeutics(輝瑞于 2016 年收購的資產)開展的開創性工作,將Nicomp? 在線動態光散射測量納入其 Accurins? 納米粒子候選藥物的制造過程。引言BIND Therapeutics, Inc. 是一家生物制藥公司,開發稱為 Accurins(見圖 1)的靶向納米粒子技術,用于治 療癌癥和其他具有大量未滿足醫療需求的嚴重疾病。通過結合控釋聚合物系統、靶向和遞送大量治 療藥物的能力,Bind 正在為一類新型靶向治 療開發一個納米技術支持的平臺。圖 1. BIND Accurins 技術Accurins 通常是 80-120 nm 的顆粒,由具有活性藥物成分 (API) 核心的聚丙交酯聚乙二醇 (PLA-PEG) 共聚物組成。共聚物的 PLA 部分為包封疏水性 API 提供了一個可生物降解的、相對疏水的核心。聚合物的親水性聚乙二醇酯部分期望覆蓋在顆粒的表面,使它們能夠逃避網狀內皮系統(RES)吞噬細胞的調理和從血液循環中移除。80-120 nm 的大小非常適合通過滲漏的脈管系統(增強的通透性和滯留性,或 EPR 效應)積聚在腫瘤部位,同時避免被脾 臟過濾。80-120 nm也是適合所需理化特性的尺寸,可保持高載藥量、控制釋放和加工能力,包括最 終無菌過濾和凍干的能力。Accurins 是通過納米乳液工藝制造的,該工藝使用高壓均化來剪切分散在不混溶水相中的有機液滴。控制液滴尺寸對于確定藥品的最 終尺寸分布十分重要。許多因素會影響液滴大小,包括原材料屬性、顆粒配方、均質機機械性能、水相組成和工藝參數。該批次開始生產后,均質器壓力是最容易控制來調節尺寸的過程。BIND 014 是一種 Accurin,開發用于將多西紫杉醇遞送至實體瘤和癌細胞,表達前列腺特異性膜抗原 (PSMA)。這里描述的所有實驗都是針對 BIND-014 Accurins。在線動態光散射動態光散射 (DLS) 可用于測量亞微米顆粒尺寸,DLS 的工作原理是小顆粒通過布朗運動在流體中隨機移動。系統檢測到布朗運動引起的平移擴散,然后用于求解 Stokes-Einstein 方程以確定粒子大小(方程 1)。其中: D = 擴散系數 kB = 波爾茲曼常數 η = 粘度 R = 粒子半徑Nicomp DLS 已在實驗室中成功使用數十年,Nicomp?在線粒度儀也已有了實際應用。Entegris (Nicomp粒度儀生產商)現在已在客戶制造業務中安裝了多個系統,用于在生產運行期間跟蹤顆粒大小。在線系統從過程中取出樣品,稀釋樣品以避免多重散射效應,測量樣品,然后重復該過程(見圖 2)。完整的測量周期約為 2 分鐘,為監控制造操作的工藝工程師提供連續的粒度信息。圖 2. DLS 系統簡圖,帶自動稀釋實驗細節Entegris Nicomp?在線 DLS 系統安裝在高壓均質器的下游,其設置使其能夠每約 2 分鐘從工藝流中獲取乳液樣品。設置 DLS 的射流系統,使乳液樣品以與下游 Accurin 過程類似的方式在水中稀釋,并在流通池中自動稀釋至產生理想光散射強度(~300 kCt/秒)的濃度。此處描述了三個批次: 一個批次由 11 個過程樣品和可變壓力制成,在整個均質化過程中,以建立壓力大小相關性。在工藝條件略有不同的情況下生產的批次導致前兩個工藝樣品的尺寸略小于目標尺寸。調整壓力后,尺寸恢復到最 后四個樣品的目標值。臨床規模開發批次在以約 5 分鐘的間隔采集的八個樣本期間展示穩定的尺寸讀數,確認壓力設定點是合適的。結果第 一個實驗(圖 3 和圖 4)的結果顯示了我們預期的壓力與尺寸的關系。從趨勢線曲線擬合可以看出,尺寸對壓力的響應為每 1,000 psig 約 9 nm。圖 3. 均質機壓力與粒徑圖 4. 壓力與平均尺寸的相關性第二個實驗的初始尺寸讀數低于目標尺寸約 5–7 nm,因此進行了壓力調整(降低 1,000 psig)。在稍后的時間點,平均粒徑按預期增加了 ~5–10 nm。圖 5. 均質器壓力與粒徑最后一組數據來自使用在線分級器的第 一個臨床規模實驗。盡管 BIND 有程序在尺寸超出我們的目標范圍時根據需要調整壓力,但沒有必要這樣做。所有八次測量都非常接近 100 nm 目標。圖 6. 批處理運行期間的平均大小結論Nicomp? 在線 DLS 系統被集成到 Accurin 制造過程中,用于確定最佳條件并確保在整個批次中粒徑在所需規格范圍內。進行在線測量可減少進行工藝更改與獲取評估更改是否產生預期效果所需的粒度數據之間的滯后時間。此外,與將樣品帶到實驗室進行離線批量分析相比,在線分析可以更好地監控產品質量。在線 DLS 是一種有價值的過程分析技術。
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