- 2025-02-28 19:27:46IGBT
- IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的優(yōu)點(diǎn)，具有輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、載流能力強(qiáng)及承受過(guò)流能力強(qiáng)等特點(diǎn)。IGBT被廣泛應(yīng)用于變頻器、電動(dòng)汽車(chē)、新能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的核心器件之一。
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