- 2025-02-28 18:12:46晶圓探針臺
- 晶圓探針臺是半導體測試中的關鍵設備，主要用于晶圓級測試，將探針卡上的探針與晶圓上的測試墊對準并接觸，實現電信號的傳輸與測試。它具備高精度定位、快速移動及穩定接觸等特性，能確保測試結果的準確性。晶圓探針臺廣泛應用于集成電路制造、封裝及測試領域，對提高生產效率、降低成本及提升產品質量具有重要作用。隨著半導體技術的不斷發展，晶圓探針臺也在不斷升級以滿足更先進的測試需求。
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晶圓探針臺問答
- 2025-03-06 18:33:31U-III表面粒子計數器如何檢測半導體晶圓的顆粒？？？
- U-III表面粒子計數器如何檢測半導體晶圓的顆粒？？？
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- 2023-07-31 16:55:12微電容單通道叉指電極真空探針臺用途介紹
- 叉指微電極因其微小的電極間距結構，可用于各種小型化傳感器。對于傳統分析檢測，包括色譜法、光譜法、質譜等方法，大多都需要昂貴的儀器和多種操作步驟，使得許多實際問題仍面臨困難。開發高靈敏度、低成本、小型化的傳感器尤為重要。本文綜述了叉指微電極的研究進展，介紹了基于叉指微電極的傳感器在各領域的廣泛應用。 小型真空探針臺鄭科探 KT-Z4019MRL4T是一款性高價比配置的真空高低溫探針臺。高溫400℃ 低-196℃ 測試噪聲小于5E-13A 可擴展上下雙透視窗口用于光電測試 可擴展凹視鏡。公司致力于各類探針臺，（包括手動與自動探針臺、雙面探針臺、真空探針臺、）、顯微鏡成像、光電一體化的技術研發，擁有國內專業的技術研發團隊，在探針臺電學量測方面擁有近十年的經驗團隊。微電容單通道叉指電極探針臺微電容單通道叉指電極探針臺KT-Z4019MRL4T真空腔體類型高溫型室溫到400℃高低溫型 室溫到400℃ 室溫到-196℃腔體材質304不銹鋼 6061鋁合金 可選腔體內尺寸127mmX57mmX20mm腔體外尺寸150mmX80mmX32mm腔體重量不銹鋼材質 約1.5KG 鋁合金材質 約0.5KG腔體上視窗尺寸Φ42mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離）腔體抽氣口KF16法蘭（其余接口規格可轉接）腔體真空測量口KF16法蘭（其余接口規格可轉接）腔體進氣口6mm快擰 或 6mm快插腔體冷卻方式腔體水冷+上蓋氣冷腔體水冷接口腔體正壓≤0.05MPa腔體真空度機械泵≤5Pa （5分鐘） 分子泵≤5E-3Pa（30分鐘）樣品臺樣品臺材質不銹鋼 銀銅合金 純銀塊銀銅合金 純銀塊樣品臺尺寸26x26mm樣品臺加熱方式電阻加熱電阻加熱 液氮制冷樣品臺-視窗 距離11mm（可選配凹視窗用于減少窗口和樣品之間距離到6mm）樣品臺測溫傳感器PT100型熱電阻樣品臺溫度室溫到400℃室溫到400℃ 室溫到-196℃樣品臺測溫誤差±0.5℃樣品臺升溫速率高溫100℃/min 值 低溫7℃/min溫控儀溫度顯示7寸人機界面溫控類型標準PID溫控 +自整定溫度分辨率0.1℃溫控精度±0.5℃溫度信號輸入類型PT100 （可選K S B型熱電偶）溫控輸出直流線性電源加熱直流線性電源加熱+液氮流速控制器輔助功能溫度數據采集并導出 實時溫度曲線+歷史溫度曲線 可擴展真空讀數接口溫控器尺寸32cmX170cmX380cm溫控器重量約5.6KG探針電信號接頭配線轉接 BNC接頭 BNC三同軸接頭 SMA 接頭 香蕉插頭 線長1.2米電學性能絕緣電阻 ≥4000MΩ 介質耐壓 ≤200V 電流噪聲 ≤10pA探針數量4探針（可擴展5探針）探針材質鍍金鎢針 （其他材質可選）探針尖10μm手動探針移動平臺X軸移動行程20mm ±10mm（需手動推動滑臺）X軸控制精度≥500μmR軸移動行程120° ±60°（需手動旋轉探針桿）R軸控制精度≥500μmZ軸移動行程2mm ±1mmZ軸控制精度≤50μm（需手動螺紋調節探針桿）
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- 2023-07-29 15:20:25高低溫探針臺-解釋塞貝克系數測量原理及系數
- 塞貝克系數（Seebeck Coefficient）也稱為熱電偶效應或Seebeck效應，是指兩種不同導體（或半導體）材料在一定溫差下產生熱電動勢的現象。塞貝克系數是研究熱電材料（將熱能轉化為電能的材料）非常重要的一個參數，它用來衡量材料在一定溫差下產生的熱電壓。 塞貝克系數的測量方法有很多種，其中一種常用的方法是恒流法。首先準備一個熱電偶，它由兩種不同材料的導線組成。然后將熱電偶的其中一個節點保持在恒定的高溫T1，而另一個節點保持在低溫T2（不同于T1），使熱電偶產生熱電動勢（熱電壓）。通過測量恒流狀態下的電壓值V以及溫差ΔT，可以計算出塞貝克系數： S = V / ΔT。 另外，還有一些其他的測量方法如閉環法、開路法等，各種方法都有其優缺點，具體選擇哪種方法取決于實際的測試環境和需求。解釋塞貝克系數測量原理。塞貝克系數（也稱為Seebeck系數）是一個描述一個材料熱電效應特性的參數，具體地說，它表示了一個材料中的電流與橫向溫差將產生的電壓之間的關系。測量塞貝克系數的原理主要基于Seebeck效應。Seebeck效應是指在一種導體材料中，當兩個不同導體之間有一個溫差時，將產生一個電壓。 測量塞貝克系數的實驗裝置通常包括以下部分：1. 絕熱材料底座：確保測試樣品的溫度穩定。2. 樣品夾持器：保持測試樣品的固定。3. 加熱器：用于在樣品的一端創建溫差，從而在樣品中產生Seebeck電壓。4. 冷卻器：在樣品的另一端保持較低的溫度。5. 熱電偶：用于測量樣品兩端的溫差。6. 電壓測量儀器：用于測量生成的Seebeck電壓。 在測量過程中，首先將測試樣品固定在夾持器中，然后通過在樣品的一端加熱和在另一端冷卻來創建穩定的溫差。Seebeck電壓將在樣品兩端形成，然后可以使用電壓測量儀器將其測量出來。計算塞貝克系數所需的公式是： Seebeck系數 = (產生的電壓) / (熱電偶測量的溫差) 通過測量此特定溫差下生成的Seebeck電壓，我們可以計算出材料的塞貝克系數。
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- 2022-08-18 14:32:14晶圓清洗機主要結構特點及工藝流程
- 一．產品結構晶圓清洗機主要結構特點：1、采用三套獨立的電腦控制機械臂自動化作業2、采用第三代技術，全面完善的防酸防腐措施，保護到機器每一個角落3、全自動補液技術4、*的硅片干燥前處理技術，保證硅片干燥不留任何水痕5、成熟的硅片干燥工藝，多種先進技術集于一身6、彩色大屏幕人機界面操作，方便參數設置多工藝方式轉換二．產品特點晶圓清洗機具有以下特點：1、械手或多機械手組合，實現工位工藝要求。2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。3、自動上下料臺，準確上卸工件。4、凈化烘干槽，*的烘干前處理技術，工作干燥無水漬。5、全封閉外殼與抽風系統，確保良好工作環境。6、具備拋動清洗功能，保證清洗均勻。7、全封閉清洗均勻。8、全封閉外殼與抽風系統，確保良好工作環境。三、晶圓清洗機工藝流程 自動上料→去離子水+超聲波清洗+振動篩拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→自動下料四、晶圓清洗機應用范圍1、爐前清洗：擴散前清洗。2、光刻后清洗：除去光刻膠。3、氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。4、拋光后自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。5、外延前清洗：除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。6、合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質及光膠殘渣。7、離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。8、擴散預淀積后清洗：除去預淀積時的BSG和PSG。9、CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。10、附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物
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- 2023-07-08 15:42:40真空高低溫探針臺 用于傳感器 半導體 光電集成電路以及封裝的測試
- 型號 KT-0904T-RL 加熱制冷 KT-0904T 不帶加熱制冷 KT-0904T-R 加熱 類型 加熱型 400℃ 加熱制冷型室溫到-190℃-350℃ 低溫型：室溫到-190℃ 腔體材質 304 不銹鋼 腔體內尺寸 φ90x40mm 腔體上視窗尺寸 Φ42mm（選配凹視窗Φ22mm） 腔體抽氣口 KF16 腔體進氣口 公制 3mm 6mm 氣管接頭 英制 1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選 腔體出氣口 公制 3mm 6mm 氣管接頭 英制 1/8mm 1/4mm 氣管接頭可選 腔體正壓 ≤0.05MPa 腔體真空度 機械泵≤5Pa （5 分鐘） 分子泵≤5E-3Pa（30 分鐘） 樣品臺 樣品臺材質 304 不銹鋼 樣品臺尺寸 26X26mm 樣品臺-視窗 距離 30mm（可選凹視窗間距 15mm） 樣品臺測溫傳感器 A 級 PT100 鉑電阻 樣品臺溫度 室溫到 350℃（可選高低溫樣品臺 高溫 350℃低溫-190℃） 樣品臺測溫誤差 ±0.2℃ 樣品臺變溫速率 高溫 10℃/min 低溫 5℃/min 溫控儀
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