電子束蒸發系統是化合物半導體器件制作中的一種重要工藝技術；它是在高真空狀態下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發到所需基片上形成金屬膜。可蒸發很多難熔金屬或者蒸汽壓低的金屬材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…

技術參數：
1. 蒸發室尺寸：24"×24"×21"；

2. 極限真空度：≤5×10-7托；

3. 電子槍功率： 6千瓦可調；

4. 蒸發速率：可由晶體振蕩器監控厚度和沉積速率；

5. 可蒸發金屬膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；

6. 膜厚度誤差 ≤±5%，膜厚均勻性誤差 ≤±5% 。

主要特點：
1. 安全簡易的軟件操作系統，四個不同級別的用戶權限（操作、工藝、工程師以及維修保養）較大限度的保證系統的安全。

2. 雙腔設計：蒸發材料和晶片分別處于不同的腔體中，使得源材料的更換和晶片的裝載過程中ZD限度的保證腔體的潔凈程度和縮短抽真空的時間。

3. 較大的前腔門使得在維修和保養的過程中極為方便。

4. 采用衛星旋轉式晶片裝載夾具，可以根據不同的產量的需要升級晶片直徑或增加夾具的數量。衛星旋轉式夾具保證了沉積薄膜的均勻性。