Nikon 步進光刻機及幾種研發常用試驗機型資料
I線步進式光刻機 / I-line stepper
型號：Nikon NSR-I12
技術指標及功能
廣泛應用于生產線，是6英寸，8英寸等主力I線生產機臺，適用于I線光刻膠的曝光，操作簡單，曝光精度準，解析力最高可達0.35UM （350NM）
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Nikon G-line步進光刻機
規格型號：Nikon NSR-1755G7
技術指標及功能
適用于分辨率不低于0.65μm的大規模集成電路工藝器件量產的G-line步進式光刻機。
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Nikon NSR 1755i7B 6英寸分步重復光刻機
技術指標及功能
把掩膜版上的圖形按照一定的比例縮小復制到涂布有光刻膠的晶圓上，分區域進行步進式曝光。本機臺可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圓高精度投影曝光，曝光精度可達500nm。
基本指標1. RESOLUTION：0.5μm
2. LENS DISTORTION：≤0.9μm
3. RETICLE ALIGNMENT ACCURACY：≤0.02μm
4. STEPPING ACCURACY：≤0.08μm
5. OVERLAY ACCURACY：≤0.15μm(X,Y)
6. OPEN FLAME(MAX. EXPOSURE AREA)：17.5×17.5mm
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步進式投影光刻機
分辨率:0.35μm， 套刻精度:< 75nm, 十字線對準:5:1 ， 150毫米* 150毫米
Resolution：0.35μm, overlay accuracy：<75nm Reticle：5:1 150mm*150
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ASML 光刻機 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 緊湊式濺射系統 Compact Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達6英寸，基板架加熱溫度最高可達500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%， 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個），支持射頻、直流或脈沖直流電源，最多可支持3條氣體管路，支持順序沉積和共沉積。
Syskey 緊湊式熱蒸發系統 Compact Thermal ，靈活的基板尺寸，最大可達6英寸， 基板架加熱溫度最高可達500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%，可選配電子束或熱舟蒸發源（最多3個），速率控制沉積，可沉積多層薄膜，選用特定目標材料
高真空濺射系統 HV Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達12英寸或200×200毫米， 基板架加熱溫度最高可達800℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%
超高真空磁控濺射鍍膜機 UHV Sputter,? 基板支架加熱至 800 °C ? 優異的薄膜均勻性小于 ±3% ? 磁控濺射源（數量最多 8 個），可選強磁版本
Syskey 高真空熱蒸發鍍膜機HV Thermal 高真空熱蒸發系統可提供的真空環境 用于常見薄膜沉積，包括金屬、有機物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統可滿足各種應用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
Syskey 超高真空熱蒸發鍍膜機UHV Thermal, ? 靈活的基板尺寸可達 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °C? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%? 船和電池源（數量最多 6 個）? 可以共蒸發和摻雜。? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統集成
Syskey 高真空電子束鍍膜系統 HV E-beam， 靈活的基板尺寸可達 12 英寸，? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%
營業執照已審核
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