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電子顯微鏡-國儀量子掃描電子顯微鏡SEM3200

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產品特點

SEM3200是一款高性能、應用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的成像質量、可兼容低真空模式、在不同的視場范圍下均可得到高分辨率圖像。

詳細介紹

產品介紹:

SEM3200是一款高性能、應用廣泛的通用型鎢燈絲掃描電子顯微鏡。擁有出色的成像質量、可兼容低真空模式、在不同的視場范圍下均可得到高分辨率圖像。

大景深,成像富有立體感。豐富的擴展性,助您在顯微成像的世界中盡情探索。

豐富的擴展性

SE\BSE\EDS\EBSD等

光學導航

可快速定位目標樣品和感興趣區域

*大圖拼接

可實現全自動的采圖和拼接,展示超大視野畫面

圖像混合成像(SE+BSE)

在一個圖像中觀察到樣品的成分和表面信息

*雙陽極結構

雙陽極結構設計,提升了低電壓下的分辨率和成像質量

*低真空模式

在低真空下提供樣品表面細節和形貌,軟件一鍵切換真空狀態

(*為選配件)


產品特點

(*為選配件)

低電壓

碳材料樣品,低電壓下,穿透深度較小,可以獲取樣品表面真實形貌,細節更豐富。


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毛發樣品,在低電壓下,電子束輻照損傷減小,同時消除了荷電效應。


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低真空

過濾纖維管材料,導電性差,在高真空下荷電明顯,在低真空下,無需鍍膜即可實現對不導電樣品的直接觀察。


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大視場

生物樣品,采用大視場觀察,能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結構細節,展現跨尺度分析。


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導航&防碰撞

光學導航

想看哪里點哪里,導航更輕松
標配倉內攝像頭,可拍攝高清樣品臺照片,快速定位樣品。


手勢快捷導航

可通過雙擊移動、鼠標中鍵拖動、框選放大,進行快捷導航
如框選放大:在低倍導航下,獲得樣品的大視野情況,可快速框選您感興趣的樣品區域,提高工作效率。


防碰撞技術

采取多維度的防碰撞方案:
1. 手動輸入樣品高度,精 準控制樣品與物鏡下端距離,防止發生碰撞;
2. 基于圖像識別和動態捕捉技術,運動過程中對倉內的畫面進行實時監測;
3.*硬件防碰撞,可在碰撞一瞬間停止電機,減少碰撞損傷。


特色功能

智能輔助消像散

直觀反映整個視野的像散程度,通過鼠標點擊清晰處,可快速調節像散至最 佳。


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自動聚焦

一鍵聚焦,快速成像。


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自動消像散

一鍵消像散,提高工作效率。


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自動亮度對比度

一鍵自動亮度對比度,調出灰度合適圖像。


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多種信息同時成像

SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像。可同時觀察到樣品的形貌信息和成分信息。


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快速圖像旋轉

拖動一條線,圖像立刻“擺正角度”。


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豐富拓展性

掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察,更可以進行樣品表面的微區成分分析。
SEM3200接口豐富,除支持常規的二次電子探測器(ETD)、背散射電子探測器(BSED)、X射線能譜儀(EDS)外,也預留了諸多接口,如電子背散射衍射(EBSD)、陰極射線(CL)等探測器都可以在SEM3200上進行集成。


背散射電子探測器
二次電子成像和背散射電子成像對比

背散射電子成像模式下,荷電效應明顯減弱,并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。


鍍層樣品:

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鎢鋼合金樣品:


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五分割半導體背散射探測器——多通道成像

探測器設計精巧,靈敏度高,采用5分割設計,無需傾斜樣品,可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。


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單通道陰影像                                                  成分像


能譜

LED小燈珠能譜面分析結果。 


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電子背散射衍射

鎢燈絲電鏡束流大,完全滿足高分辨EBSD的測試需求,能夠對金屬、陶瓷、礦物等多晶材料進行晶體取向標定以及晶粒度大小等分析。
該圖為Ni金屬標樣的EBSD反極圖,能夠識別晶粒大小和取向,判斷晶界和孿晶,對材料組織結構進行精確判斷。


應用案例

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產品參數

型號SEM3200ASEM3200
電子光學系統電子槍類型預對中型發叉式鎢燈絲電子槍(燈絲電流3檔可調,可顯示燈絲更換時間)
分辨率高真空3 nm @ 30 kV(SE)
4 nm @ 30 kV(BSE)
8 nm @ 3 kV(SE)
*低真空3 nm @ 30 kV(SE)
放大倍率1-300,000x(底片倍率)
1-1000,000x(屏幕倍率)
加速電壓0.2 kV~30 kV
探針電流≥1.2μA,可實時顯示
成像系統探測器二次電子探測器(ETD)
*背散射電子探測器、*低真空二次電子探測器、*能譜儀EDS等
圖像保存格式TIFF、JPG、BMP、PNG
真空系統真空模式高真空優于5×10-4 Pa
*低真空5~1000 Pa
控制方式全自動控制
樣品室攝像頭光學導航
樣品倉內監控
樣品臺配置三軸自動*五軸自動
行程X: 120 mmX: 120 mm
Y: 115 mmY: 115 mm
Z: 50 mmZ: 50 mm
/R: 360°
/T: -10°~ +90°
能譜儀能譜儀探測器分析型SDD硅漂移電制冷探測器,有效面積≥30 mm2,晶體面積≥50 mm2,高分子超薄窗設計,無需液氮冷卻,僅消耗電能
能譜儀能量分辨率Mn Ka保證優于129eV
元素分析范圍B5~Cf98
軟件語言中文
操作系統Windows
導航光學導航、手勢快捷導航、可自動疊加電鏡圖片
自動功能自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散
特色功能智能輔助消像散、*大圖拼接(選配軟件)
安裝要求房間長 ≥ 3000 mm,寬 ≥ 4000 mm,高 ≥ 2300 mm
溫度20 ℃~25 ℃
濕度≤ 50 %
電氣參數電源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA



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