PHIGENESIS Model 900 for HAXPES

無需濺射刻蝕的深度探索

下一代透明發光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(QDs)，結合使用 XPS(Al Ka X射線)和 HAXPES(Cr Ka x射線)對同一微觀特征區域進行分析，可以對 QDs 進行詳細的深度結構分析。

XPS 和HAXPES 的結合使用，可以對納米顆粒進行深度分辨、定量和化學態分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。

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深層界面的分析 

在兩種x射線源中，只有 Cr Ka XPs 能探測到 Y0,下方距離表面 14nm 處的 Cr層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學態。另外，通過比較，光電子起飛角90°和30°的 Cr Ka 譜圖結果發現在較淺(表面靈敏度更高)的起飛角時，氧化物的強度較高，表明 Cr 氧化物處于 Y,0,和 Cr 層之間的界面。?

內核電子的探測

Cr Ka 提供了額外的 Al Ka 不能獲取的內核電子基于 Cr Ka 的高能光電子，通常有多個額外的躍遷可用于分析。

應用領域 

主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領域。

用于全固態電池、半導體、光伏、催化劑等領域的先進功能材料都是復雜的多組分材料，其研發依賴于化學結構到性能的不斷優化。ULVAC-PHI，Inc.提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS” 全自動多功能掃描聚焦X射線光電子能譜儀，具有優越性能、高自動化和靈活的擴展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能 分析平臺在各種研究領域的應用

電池        AES/Transfer Vessel

“LiPON/LiCoO 2 橫截面的 pA-AES Li 化學成像”

Li 基材料例如 LiPON，對電子束輻照敏感。 

PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取 AES 化學成像。

有機器件     UPS/LEIPS/GCIB

使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 測量能帶結構

(1)C60薄膜表面

(2)C60薄膜表面清潔后

(3)C60薄膜 /Au 界面

(4)Au 表面

通過 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結構。

半導體    XPS/HAXPES

半導體器件通常由包含許多元素的復雜薄膜組成，它們的研發通常需要對界面處的化學態進行無損分析。為了從深層界面獲取信息，例如柵極氧化膜下的 GaN，使用 HAXPES 是非常有必要的。

微電子     HAXPES 

微小焊錫點分析HAXPES 分析數據顯示金屬態Sn 的含量高于 XPS 分析數據，這是由于Sn 球表面被氧化，隨著深度的加深，金屬態Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比 XPS 深的特點。