高頻介電常數(shù)測(cè)試儀10K-70MHZ測(cè)量速度 ;快速: 200次/s（f﹥30kHz） ,100次/s（f﹥1kHz）中速: 25次/s, 慢速: 5次/s

校準(zhǔn)功能 :開路 / 短路點(diǎn)頻、掃頻清零，負(fù)載校準(zhǔn)

等效方式 :串聯(lián)方式, 并聯(lián)方式

量程方式:自動(dòng), 保持

顯示方式 :直讀, Δ, Δ%

觸發(fā)方式 :內(nèi)部, 手動(dòng), 外部, 總線

內(nèi)部直流偏 :電壓模式-5V ～ +5V, ±(10%+10mV), 1mV步進(jìn)

置源 :電流模式（內(nèi)阻為50Ω）-100mA ～ +100mA, ±(10%+0.2mA),20uA步進(jìn)

比較器功能:10檔分選及計(jì)數(shù)功能

顯示器;320×240點(diǎn)陣圖形LCD顯示

存儲(chǔ)器 :可保存20組儀器設(shè)定值

USB DEVICE( USBTMC and USBCDC support) USB HOST(FAT16 and FAT32 support)

接口 :LAN(LXI class C support) RS232C HANDLERGPIB（選件）

工作頻率范圍：20Hz～2MHz 數(shù)字合成，

精度：±0.02% 

高頻介電常數(shù)測(cè)試儀10K-70MHZ

電容測(cè)量范圍：0.00001pF～9.99999F 六位數(shù)顯

電容測(cè)量基本誤差：±0.05%

損耗因素D值范圍：0.00001～9.99999 六位數(shù)顯

介電常數(shù)測(cè)試裝置（含保護(hù)電極）： 精密介電常數(shù)測(cè)試裝置提供測(cè)試電極，能對(duì)直徑φ10～56mm，厚度<10mm的試樣精確測(cè)量。

它針對(duì)不同試樣可設(shè)置為接觸電極法，薄膜電極法和非接觸法三種，以適應(yīng)軟材料，表面不平整和薄膜試樣測(cè)試。

微分頭分辨率：10μm

高耐壓：±42Vp（AC+DC）

電纜長(zhǎng)度設(shè)置：1m

高使用頻率：30MHz

高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）： 在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃， 氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu)，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20Hz～2MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測(cè)試。

介電常數(shù)測(cè)試儀中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。 

性能特點(diǎn)

◎ 全自動(dòng)一鍵操作可自動(dòng)掃描平穩(wěn)的量程階段

◎微電腦處理器反應(yīng)迅速可在短時(shí)間內(nèi)計(jì)算出佳頻段

◎ 夾具數(shù)字顯示

◎ 4.3寸TFT液晶顯示

◎ 中英文可選操作界面

◎ 高2MHz的測(cè)試頻率，10mHz分辨率

◎ 平衡測(cè)試功能

◎ 變壓器參數(shù)測(cè)試功能

◎ 高測(cè)試速度:13ms/次

◎ 電壓或電流的自動(dòng)電平調(diào)整（ALC）功能

◎ V、I 測(cè)試信號(hào)電平監(jiān)視功能

◎ 內(nèi)部自帶直流偏置源

◎ 可外接大電流直流偏置源

◎ 10點(diǎn)列表掃描測(cè)試功能

◎ 30Ω、50Ω、100Ω可選內(nèi)阻

◎ 內(nèi)建比較器，10檔分選和計(jì)數(shù)功能

◎ 內(nèi)部文件存儲(chǔ)和外部U盤文件保存

◎ 測(cè)量數(shù)據(jù)可直接保存到U盤

◎ RS232C、 USB 、LAN、HANDLER、GPIB、DCI接口

◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復(fù)性。

◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1～105

主要技術(shù)指標(biāo)： 

ε和D性能：

固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz～2MHz的ε和D變化的測(cè)試。

 ε和D測(cè)量范圍：ε：1～105，D：0.1～0.00005，

ε和D測(cè)量精度（10kHz）：ε：±2% ， D：±5%±0.0001。

測(cè)試參數(shù) :C, L, R,Z,Y,X,B, G, D, Q, θ,DCR

測(cè)試頻率 :20 Hz～2MHz,10mHz步進(jìn)

測(cè)試信號(hào)電:f≤1MHz 10mV～5V,±（10%+10mV）

平 :f>1MHz 10mV～1V,±（20%+10mV)

輸出阻抗:10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω

基本準(zhǔn)確度 ;0.1%

顯示范圍 :

L 0.0001 uH ～ 9.9999kH

C :0.0001 pF ～ 9.9999F

R,X,Z,DCR :0.0001 Ω ～ 99.999 MΩ

Y, B, G 0.0001 nS ～ 99.999 S

D :0.0001 ～ 9.9999

Q :0.0001 ～ 99999

θ :-179.99°～ 179.99°

測(cè)量速度 ;快速: 200次/s（f﹥30kHz） ,100次/s（f﹥1kHz）

中速: 25次/s, 慢速: 5次/s

校準(zhǔn)功能 :開路 / 短路點(diǎn)頻、掃頻清零，負(fù)載校準(zhǔn)

等效方式 :串聯(lián)方式, 并聯(lián)方式

量程方式:自動(dòng), 保持

顯示方式 :直讀, Δ, Δ%

觸發(fā)方式 :內(nèi)部, 手動(dòng), 外部, 總線

內(nèi)部直流偏 :電壓模式-5V ～ +5V, ±(10%+10mV), 1mV步進(jìn)

置源 :電流模式（內(nèi)阻為50Ω）-100mA ～ +100mA, ±(10%+0.2mA),20uA步進(jìn)

比較器功能:10檔分選及計(jì)數(shù)功能

顯示器;320×240點(diǎn)陣圖形LCD顯示

技術(shù)參數(shù)：

1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
c．標(biāo)稱誤差
頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：
固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%
工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%
2．電感測(cè)量范圍：4.5nH~7.9mH
3．電容測(cè)量：1~205
主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF
準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見后頁(yè)使用說(shuō)明
4.  信號(hào)源頻率覆蓋范圍
頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,
CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,
5．Q合格指示預(yù)置功能:      預(yù)置范圍：5～1000。

6．B-測(cè)試儀正常工作條件
a.  環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
b．相對(duì)濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

1  測(cè)量范圍及誤差

 本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30％－80％條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

  在Cn＝100pF    R4＝3183.2（W）（即10K/π）時(shí)

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0～1              ±1.5％tgdx±0.0001

    在Cn＝100pF      R4＝318.3（W）（即1K/π）時(shí)

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0～0.1          ±1.5％tgdx±0.0001

2  電橋測(cè)量靈敏度

    電橋在使用過(guò)程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)確度，希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。在下面的計(jì)算公式中，用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)。

 DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中：Ｕ為測(cè)量電壓                     伏特（Ｖ）

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法（pＦ）

          Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10            安培（Ａ）

          Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆（W）

          Ｒ４橋臂R4電阻值3183                 歐姆（W）

          Ｃｘ被測(cè)試品電容值                    皮法（ｐF）

3 電容量及介損顯示精度：

    電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。

    介  損： ±0.5％tgdx±1×10-4

4 輔橋的技術(shù)特性：

    工作電壓±12V，50Hz

    輸入阻抗>1012　W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數(shù)>0.99

    不失真跟蹤電壓  0～12V（有效值）

5 指另裝置的技術(shù)特性：

    工作電壓±12V

    在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格

    二次諧波  減不小于25db

    三次諧波  減不小于50db

特點(diǎn)：優(yōu)化的測(cè)試電路設(shè)計(jì)使殘值更小◆ 高頻信號(hào)采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)◆ LED 數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù)，手動(dòng)/自動(dòng)量程切換◆ 自動(dòng)掃描被測(cè)件諧振點(diǎn)，標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定，大大提高測(cè)試速度

作為新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)高的160MHz。1 雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。2 雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。3 雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。4 自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。5 全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。6 DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。7 計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至低，徹底 Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

標(biāo)準(zhǔn)配置：高配Q表 一只  試驗(yàn)電極  一只 （c類）電感      一套（9只）電源線    一條說(shuō)明書    一份合格證    一份保修卡    一份

為什么介電常數(shù)越大，絕緣能力越強(qiáng)？因?yàn)槲镔|(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān)，通常稱為介電系數(shù)。

介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù)，介電系數(shù)或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù)。所以理論上來(lái)說(shuō)，介電常數(shù)越大，絕緣性能就越好。

注：這個(gè)性質(zhì)不是成立的。

對(duì)于絕緣性不太好的材料(就是說(shuō)不擊穿的情況下,也可以有一定的導(dǎo)電性)和絕緣性很好的材料比較,這個(gè)結(jié)論是成立的。

但對(duì)于兩個(gè)絕緣體就不一定了。

介電常數(shù)反映的是材料中電子的局域(local)特性,導(dǎo)電性是電子的全局(global)特征.不是一回事情的。

補(bǔ)充：電介質(zhì)經(jīng)常是絕緣體。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各種金屬氧化物。有些液體和氣體可以作為好的電介質(zhì)材料。干空氣是良好的電介質(zhì)，并被用在可變電容器以及某些類型的傳輸線。蒸餾水如果保持沒有雜質(zhì)的話是好的電介質(zhì)，其相對(duì)介電常數(shù)約為80。

對(duì)于時(shí)變電磁場(chǎng)，物質(zhì)的介電常數(shù)和頻率相關(guān)，通常稱為介電系數(shù)。介電常數(shù)又叫介質(zhì)常數(shù)，介電系數(shù)或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個(gè)系數(shù)介電常數(shù),用于衡量絕緣體儲(chǔ)存電能的性能.它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時(shí)的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時(shí)的電容量之比。介電常數(shù)代表了電介質(zhì)的極化程度，也就是對(duì)電荷的束縛能力，介電常數(shù)越大，對(duì)電荷的束縛能力越強(qiáng)。電容器兩極板之間填充的介質(zhì)對(duì)電容的容量有影響，而同一種介質(zhì)的影響是相同的，介質(zhì)不同，介電常數(shù)不同

介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過(guò)的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好。

概念：

電介質(zhì)在外電場(chǎng)作用下，其內(nèi)部會(huì)有發(fā)熱現(xiàn)象，這說(shuō)明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉，電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)的損耗功率，或簡(jiǎn)稱介質(zhì)損耗（diclectric loss）。介質(zhì)損耗是應(yīng)用于交流電場(chǎng)中電介質(zhì)的重要品質(zhì)指標(biāo)之一。介質(zhì)損耗不但消耗了電能，而且使元件發(fā)熱影響其正常工作。如果介電損耗較大，甚至?xí)鸾橘|(zhì)的過(guò)熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質(zhì)損耗越小越好。

形式

各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質(zhì)損耗的原因是多方面的，所以介質(zhì)損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式：

1）漏導(dǎo)損耗

實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場(chǎng)的作用下，總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

2）極化損耗

在介質(zhì)發(fā)生緩慢極化時(shí)（松弛極化、空間電荷極化等），帶電粒子在電場(chǎng)力的影響下因克服熱運(yùn)動(dòng)而引起的能量損耗。

　　一些介質(zhì)在電場(chǎng)極化時(shí)也會(huì)產(chǎn)生損耗，這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩(wěn)定所需時(shí)間很短（約為10-16～10-12s），這在無(wú)線電頻率（5×1012Hz 以下）范圍均可認(rèn)為是極短的，因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化（例如松弛極化、空間電荷極化等）在外電場(chǎng)作用下，需經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間（10-10s或更長(zhǎng)）才達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，因此會(huì)引起能量的損耗。

若外加頻率較低，介質(zhì)中所有的極化都能完全跟上外電場(chǎng)變化，則不產(chǎn)生極化損耗。若外加頻率較高時(shí)，介質(zhì)中的極化跟不上外電場(chǎng)變化，于是產(chǎn)生極化損耗。

電離損耗

電離損耗（又稱游離損耗）是由氣體引起的，含有氣孔的固體介質(zhì)在外加電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)氣孔氣體電離所需要的電場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，由于氣體的電離吸收能量而造成指耗，這種損耗稱為電離損耗。

結(jié)構(gòu)損耗

在高頻電場(chǎng)和低溫下，有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗。這類損耗與溫度關(guān)系不大，耗功隨頻率升高而增大。

試驗(yàn)表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小，但是當(dāng)某此原因（如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等）使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后。其結(jié)構(gòu)耗就會(huì)大大升高。

宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗

工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和氣相，各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計(jì)分布口。由于各相的介電性不同，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場(chǎng)分布不均勻，造成局部有較高的電場(chǎng)強(qiáng)度而引起了較高的損耗。但作為電介質(zhì)整體來(lái)看，整個(gè)電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗大的一相和損耗小的一相之間。

表征：

電介質(zhì)在恒定電場(chǎng)作用下，介質(zhì)損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

ω=σE2

在交變電場(chǎng)作用下，電位移D與電場(chǎng)強(qiáng)度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量，此時(shí)介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù)，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小。

D，E，J之間的相位關(guān)系圖

D，E，J之間的相位關(guān)系圖

如圖所示，從電路觀點(diǎn)來(lái)看，電介質(zhì)中的電流密度為

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度，導(dǎo)致能量損耗；Je，相比較E超前90°，稱為無(wú)功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中，δ稱為損耗角，tanδ稱為損耗角正切值。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲(chǔ)電荷要消耗的能量的大小，是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時(shí)的重要評(píng)價(jià)參數(shù)。為了減少介質(zhì)損耗，希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數(shù)Q=（tanδ）-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱為電介質(zhì)的品質(zhì)因素，希望它的值要高。

工程材料：離子晶體的損耗，離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。

緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則，鍵強(qiáng)度比較大，如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等，在外電場(chǎng)作用下很難發(fā)生離子松弛極化，只有電子式和離子式的位移極化，所以無(wú)極化損耗，僅有的一點(diǎn)損耗是由漏導(dǎo)引起的（包括本質(zhì)電導(dǎo)和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導(dǎo)）。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無(wú)關(guān)，損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此，以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場(chǎng)合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結(jié)構(gòu)松散的離子晶體，如莫來(lái)石（3Al2O3·2SiO2）、董青石（2MgO·2Al2O3·5SiO2）等，其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變，含有缺陷和較多的雜質(zhì)，離子的活動(dòng)范圍擴(kuò)大。在外電場(chǎng)作用下，晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生電導(dǎo)打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來(lái)回運(yùn)動(dòng)，形成熱離子松弛，出現(xiàn)極化損耗。所以這類晶體的介質(zhì)損耗較大，由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻，只能應(yīng)用于低頻場(chǎng)合。

玻璃的損耗

復(fù)雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個(gè)部分：電導(dǎo)耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢(shì)，取決于外界因素溫度和電場(chǎng)頻率。高頻和高溫下，電導(dǎo)損耗占優(yōu)勢(shì)：在高頻下，主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動(dòng)造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結(jié)構(gòu)損耗，其損耗機(jī)理目前還不清楚，可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來(lái)說(shuō)，簡(jiǎn)單玻璃的損耗是很小的，這是因?yàn)楹?jiǎn)單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列，結(jié)構(gòu)緊密，沒有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因?yàn)閴A性氧化物進(jìn)人玻璃的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)后，使離子所在處點(diǎn)陣受到破壞，結(jié)構(gòu)變得松散，離子活動(dòng)性增大，造成電導(dǎo)損耗和松弛損耗增加。

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來(lái)源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會(huì)引起較大的損耗。

在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中，介質(zhì)損耗主要來(lái)源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內(nèi)的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，其介電常數(shù)約為2，介質(zhì)損耗小于10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，并且極性愈大，這兩個(gè)值愈高。

高聚物的交聯(lián)通常能阻礙極性基團(tuán)的取向，因此熱固性高聚物的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均隨交聯(lián)度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子，雖然這種高聚物的極性很強(qiáng)，但只要固化比較完全，它的介質(zhì)損耗就不高。相反，支化使分子鏈間作用力減弱，分子鏈活動(dòng)能力增強(qiáng)，介電常數(shù)和介質(zhì)損耗均增大。

高聚物的凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)及力學(xué)狀態(tài)對(duì)介電性景響也很大。結(jié)品能鏈段上偶極矩的取向極化，因此高聚物的介質(zhì)損耗隨結(jié)晶度升高而下降。當(dāng)高聚物結(jié)晶度大于70%時(shí)，鏈段上的偶極的極化有時(shí)完全被，介電性能可降至低值，同樣的道理，非晶態(tài)高聚物在玻璃態(tài)下比在高彈態(tài)下具有更低的介質(zhì)損耗。此外，高聚物中的增塑利、雜質(zhì)等對(duì)介電性能也有很大景響。

介質(zhì)損耗（dielectric loss ）指的是絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。

介質(zhì)損耗因數(shù)（dielectric loss factor）指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。【依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M

功能介紹

1.自動(dòng)停機(jī)：試樣破壞后，移動(dòng)橫梁自動(dòng)停止移動(dòng)（或自動(dòng)返回初始位置、

2.自動(dòng)換檔：根據(jù)試驗(yàn)力大小自動(dòng)切換到適當(dāng)?shù)牧砍蹋源_保測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性

3.條件模塊：試驗(yàn)條件和試樣原始數(shù)據(jù)可以建立自己的標(biāo)準(zhǔn)模塊的形式存儲(chǔ)；方便用戶的調(diào)用和查看，節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間

4.自動(dòng)變速：試驗(yàn)過(guò)程的位移速度或加載速度可按預(yù)先編制、設(shè)定的程序自動(dòng)完成也可手動(dòng)改變

5.自動(dòng)程制：根據(jù)試驗(yàn)要求，用戶可方便的建立自己的試驗(yàn)?zāi)０澹ǚ椒āⅲ阌诙握{(diào)用，可實(shí)現(xiàn)試驗(yàn)加載速度、應(yīng)力、應(yīng)變的閉環(huán)試驗(yàn)控制

6.自動(dòng)保存：試驗(yàn)結(jié)束，試驗(yàn)數(shù)據(jù)和曲線計(jì)算機(jī)自動(dòng)保存，杜絕因忘記存盤而引起的數(shù)據(jù)丟失

7.測(cè)試過(guò)程：試驗(yàn)過(guò)程及測(cè)量、顯示、分析等均由微機(jī)完成

8.批量試驗(yàn)：對(duì)相同參數(shù)的試樣，一次設(shè)定后可順次完成一批試驗(yàn)

9.試驗(yàn)軟件：中文Windows用戶界面，操作簡(jiǎn)便

10.顯示方式：數(shù)據(jù)與曲線隨試驗(yàn)過(guò)程動(dòng)態(tài)顯示

11.曲線遍歷：試驗(yàn)完成后，可對(duì)曲線進(jìn)行放大再分析，用鼠標(biāo)查到試驗(yàn)曲線上各點(diǎn)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)

12.試驗(yàn)報(bào)告：可根據(jù)用戶要求進(jìn)行編輯打印

13.限位保護(hù)：具有程控和機(jī)械兩級(jí)限位保護(hù)

14.過(guò)載保護(hù)：當(dāng)負(fù)荷超過(guò)額定值3～5%時(shí)，自動(dòng)停機(jī)

15.報(bào)告顯示：自動(dòng)和人工兩種模式求取各種試驗(yàn)結(jié)果，自動(dòng)形成報(bào)表，使數(shù)據(jù)分析過(guò)程變的簡(jiǎn)單，便于用戶

16.添加試驗(yàn)方法：用戶可跟據(jù)試驗(yàn)要求，添加試驗(yàn)方法

軟件說(shuō)明

a.軟件系統(tǒng)：中英文Windows2000/XP/Win7平臺(tái)下軟件包

b.自動(dòng)儲(chǔ)存：試驗(yàn)條件、試驗(yàn)結(jié)果、計(jì)算參數(shù)、標(biāo)距位置自動(dòng)儲(chǔ)存。

c.自動(dòng)返回：試驗(yàn)結(jié)束后，試驗(yàn)機(jī)橫梁會(huì)自動(dòng)返回到試驗(yàn)初始位置。

d.連續(xù)試驗(yàn)：一批試驗(yàn)參數(shù)設(shè)定完成后，可連續(xù)進(jìn)行測(cè)試。

e.多種曲線：同一圖形上可顯示多種不同的曲線：荷重--位移、荷重-時(shí)間、位移--時(shí)間、應(yīng)力—應(yīng)變、荷重—兩點(diǎn)延伸等到多種曲線。

f.曲線對(duì)比：同組試樣的曲線可在同一張圖上疊加對(duì)比。

g.報(bào)告編輯：可按用戶要求輸出不同的報(bào)告形式。

h.動(dòng)態(tài)顯示：測(cè)試過(guò)程中，負(fù)荷、伸長(zhǎng)、位移及選中的試驗(yàn)曲線隨著測(cè)試的進(jìn)行，實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)顯示在主控屏幕上。

i.自動(dòng)變標(biāo)：試驗(yàn)中負(fù)荷、伸長(zhǎng)等曲線坐標(biāo)，如果選擇不當(dāng)，可根據(jù)實(shí)測(cè)值的大小，自動(dòng)變換座標(biāo)。保證在任何情況下 曲線以大的形式顯示在屏幕上。

j.峰值保持：在測(cè)試的整個(gè)過(guò)程中，測(cè)試項(xiàng)目的大值始終隨著試驗(yàn)的進(jìn)行，在屏幕窗口上顯示。

k.執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：滿足GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等多種試驗(yàn)方法和標(biāo)準(zhǔn)

存儲(chǔ)器 :可保存20組儀器設(shè)定值

USB DEVICE( USBTMC and USBCDC support) USB HOST(FAT16 and FAT32 support)

接口 :LAN(LXI class C support) RS232C HANDLERGPIB（選件）

工作頻率范圍：20Hz～2MHz 數(shù)字合成，

精度：±0.02%