介電常數和介質損耗測試儀試樣的制備

試樣應從固體材料上截取，為了滿足要求，應按相關的標準方法的要求來制備。

應精確地測量厚度，使偏差在±(0.2%±0.005 mm)以內，測量點應均勻地分布在試樣表面.必要 時，應測其有效面積。

7.2條件處理

條件處理應按相關規范規定進行。

技術參數：

1．Q值測量
a．Q值測量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c．標稱誤差
頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：
固有誤差：≤5％±滿度值的2% 固有誤差：≤6％±滿度值的2%
工作誤差：≤7％±滿度值的2% 工作誤差：≤8％±滿度值的2%
2．電感測量范圍：4.5nH~7.9mH
3．電容測量：1~205
主電容調節范圍：18～220pF
準確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%
注：大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明
4.  信號源頻率覆蓋范圍
頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,
CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,
5．Q合格指示預置功能:      預置范圍：5～1000。
6．B-測試儀正常工作條件
a.  環境溫度：0℃～+40℃；
b．相對濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

1  測量范圍及誤差

 本電橋的環境溫度為20±5℃，相對濕度為30％－80％條件下，應滿足下列表中的技術指示要求。

  在Cn＝100pF    R4＝3183.2（W）（即10K/π）時

    測量項目       測量范圍             測量誤差               

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

    介質損耗tgd      0～1              ±1.5％tgdx±0.0001

    在Cn＝100pF      R4＝318.3（W）（即1K/π）時

    測量項目       測量范圍             測量誤差               

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

    介質損耗tgd      0～0.1          ±1.5％tgdx±0.0001

2  電橋測量靈敏度

    電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測量準確度，希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓，標準電容量成正比。在下面的計算公式中，用戶可根據實際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這個水平上的電容與介質損耗因數的微小變化都能夠反應出來。

 DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中：Ｕ為測量電壓                     伏特（Ｖ）

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Ｃｎ標準電容器容量                    皮法（pＦ）

          Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10            安培（Ａ）

          Ｒｇ平衡指另儀內阻約1500              歐姆（W）

          Ｒ４橋臂R4電阻值3183                 歐姆（W）

          Ｃｘ被測試品電容值                    皮法（ｐF）

3 電容量及介損顯示精度：

    電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。

    介  損： ±0.5％tgdx±1×10-4

4 輔橋的技術特性：

    工作電壓±12V，50Hz

    輸入阻抗>1012　W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數>0.99

    不失真跟蹤電壓  0～12V（有效值）

5 指另裝置的技術特性：

    工作電壓±12V

    在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格

    二次諧波  減不小于25db

    三次諧波  減不小于50db

特點：優化的測試電路設計使殘值更小◆ 高頻信號采用數碼調諧器和頻率鎖定技術◆ LED 數字讀出品質因數，手動/自動量程切換◆ 自動掃描被測件諧振點，標頻單鍵設置和鎖定，大大提高測試速度

作為新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前國內高的160MHz。1 雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。2 雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。3 雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧，數碼化電容調諧。4 自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。5 全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。6 DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩定。7 計算機自動修正技術和測試回路優化 —使測試回路 殘余電感減至低，徹底 Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。

標準配置：高配Q表 一只  試驗電極  一只 （c類）電感      一套（9只）電源線    一條說明書    一份合格證    一份保修卡    一份

為什么介電常數越大，絕緣能力越強？因為物質的介電常數和頻率相關，通常稱為介電系數。

介電常數又叫介質常數，介電系數或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個系數。所以理論上來說，介電常數越大，絕緣性能就越好。

注：這個性質不是絕對成立的。

對于絕緣性不太好的材料(就是說不擊穿的情況下,也可以有一定的導電性)和絕緣性很好的材料比較,這個結論是成立的。

但對于兩個絕緣體就不一定了。

介電常數反映的是材料中電子的局域(local)特性,導電性是電子的全局(global)特征.不是一回事情的。

補充：電介質經常是絕緣體。其例子包括瓷器(陶器)，云母，玻璃，塑料，和各種金屬氧化物。有些液體和氣體可以作為好的電介質材料。干空氣是良好的電介質，并被用在可變電容器以及某些類型的傳輸線。蒸餾水如果保持沒有雜質的話是好的電介質，其相對介電常數約為80。

對于時變電磁場，物質的介電常數和頻率相關，通常稱為介電系數。介電常數又叫介質常數，介電系數或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個系數介電常數,用于衡量絕緣體儲存電能的性能.它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質時的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質或真空時的電容量之比。介電常數代表了電介質的極化程度，也就是對電荷的束縛能力，介電常數越大，對電荷的束縛能力越強。電容器兩極板之間填充的介質對電容的容量有影響，而同一種介質的影響是相同的，介質不同，介電常數不同

介質損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質電導和介質極化的滯后效應，在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失，簡稱介損。在交變電場作用下，電介質內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數角Φ）的余角δ稱為介質損耗角。

損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好。

概念：

電介質在外電場作用下，其內部會有發熱現象，這說明有部分電能已轉化為熱能耗散掉，電介質在電場作用下，在單位時間內因發熱而消耗的能量稱為電介質的損耗功率，或簡稱介質損耗（diclectric loss）。介質損耗是應用于交流電場中電介質的重要品質指標之一。介質損耗不但消耗了電能，而且使元件發熱影響其正常工作。如果介電損耗較大，甚至會引起介質的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質損耗越小越好。

形式

各種不同形式的損耗是綜合起作用的。由于介質損耗的原因是多方面的，所以介質損耗的形式也是多種多樣的。介電損耗主要有以下形式：

1）漏導損耗

實際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質，在外電場的作用下，總有一些帶電粒子會發生移動而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導電流，漏導電流流經介質時使介質發熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為“漏導損耗”。由于實阿的電介質總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質不論在直流電場或交變電場作用下都會發生漏導損耗。

2）極化損耗

在介質發生緩慢極化時（松弛極化、空間電荷極化等），帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。

　　一些介質在電場極化時也會產生損耗，這種損耗一般稱極化損耗。位移極化從建立極化到其穩定所需時間很短（約為10-16～10-12s），這在無線電頻率（5×1012Hz 以下）范圍均可認為是極短的，因此基本上不消耗能量。其他緩慢極化（例如松弛極化、空間電荷極化等）在外電場作用下，需經過較長時間（10-10s或更長）才達到穩定狀態，因此會引起能量的損耗。

若外加頻率較低，介質中所有的極化都能完全跟上外電場變化，則不產生極化損耗。若外加頻率較高時，介質中的極化跟不上外電場變化，于是產生極化損耗。

電離損耗

電離損耗（又稱游離損耗）是由氣體引起的，含有氣孔的固體介質在外加電場強度超過氣孔氣體電離所需要的電場強度時，由于氣體的電離吸收能量而造成指耗，這種損耗稱為電離損耗。

結構損耗

在高頻電場和低溫下，有一類與介質內鄰結構的緊密度密切相關的介質損耗稱為結構損耗。這類損耗與溫度關系不大，耗功隨頻率升高而增大。

試驗表明結構緊密的晶體成玻璃體的結構損耗都很小，但是當某此原因（如雜質的摻入、試樣經淬火急冷的熱處理等）使它的內部結構松散后。其結構耗就會大大升高。

宏觀結構不均勾性的介質損耗

工程介質材料大多數是不均勻介質。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和氣相，各相在介質中是統計分布口。由于各相的介電性不同，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質的電場分布不均勻，造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗。但作為電介質整體來看，整個電介質的介質損耗必然介于損耗大的一相和損耗小的一相之間。

表征：

電介質在恒定電場作用下，介質損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質損耗為介質損耗率為

ω=σE2

在交變電場作用下，電位移D與電場強度E均變為復數矢量，此時介電常數也變成復數，其虛部就表示了電介質中能量損耗的大小。

D，E，J之間的相位關系圖

D，E，J之間的相位關系圖

如圖所示，從電路觀點來看，電介質中的電流密度為

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度，導致能量損耗；Je，相比較E超前90°，稱為無功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中，δ稱為損耗角，tanδ稱為損耗角正切值。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小，是電介質作為絕緣材料使用時的重要評價參數。為了減少介質損耗，希望材料具有較小的介電常數和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數Q=（tanδ）-1在高頻絕緣應用條件下稱為電介質的品質因素，希望它的值要高。

工程材料：離子晶體的損耗，離子晶體的介質損耗與其結構的緊密程度有關。

緊密結構的晶體離子都排列很有規則，鍵強度比較大，如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等，在外電場作用下很難發生離子松弛極化，只有電子式和離子式的位移極化，所以無極化損耗，僅有的一點損耗是由漏導引起的（包括本質電導和少量雜質引起的雜質電導）。這類晶體的介質損耗功率與頻率無關，損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此，以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等

結構松散的離子晶體，如莫來石（3Al2O3·2SiO2）、董青石（2MgO·2Al2O3·5SiO2）等，其內部有較大的空隙或晶格畸變，含有缺陷和較多的雜質，離子的活動范圍擴大。在外電場作用下，晶體中的弱聯系離子有可能貫穿電極運動，產生電導打耗。弱聯系離子也可能在一定范圍內來回運動，形成熱離子松弛，出現極化損耗。所以這類晶體的介質損耗較大，由這類品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻，只能應用于低頻場合。

玻璃的損耗

復雜玻璃中的介質損耗主要包括三個部分：電導耗、松弛損耗和結構損耗。哪一種損耗占優勢，取決于外界因素溫度和電場頻率。高頻和高溫下，電導損耗占優勢：在高頻下，主要的是由弱聯系離子在有限范圍內移動造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結構損耗，其損耗機理目前還不清楚，可能與結構的緊密程度有關。般來說，簡單玻璃的損耗是很小的，這是因為簡單玻璃中的“分子”接近規則的排列，結構緊密，沒有弱聯系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數規律增大。這是因為堿性氧化物進人玻璃的點陣結構后，使離子所在處點陣受到破壞，結構變得松散，離子活動性增大，造成電導損耗和松弛損耗增加。

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的介質損耗主要來源于電導損耗、松弛質點的極化損耗和結構損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導也會引起較大的損耗。

在結構緊密的陶瓷中，介質損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結構松散，生成了缺固濟體、多品型轉變等。

高分子材料的損耗

高分子聚合物電介質按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數和介質損耗，其介電常數約為2，介質損耗小于10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數和介質損耗，并且極性愈大，這兩個值愈高。

高聚物的交聯通常能阻礙極性基團的取向，因此熱固性高聚物的介電常數和介質損耗均隨交聯度的提高而下降。酚醛樹脂就是典型的例子，雖然這種高聚物的極性很強，但只要固化比較完全，它的介質損耗就不高。相反，支化使分子鏈間作用力減弱，分子鏈活動能力增強，介電常數和介質損耗均增大。

高聚物的凝聚態結構及力學狀態對介電性景響也很大。結品能鏈段上偶極矩的取向極化，因此高聚物的介質損耗隨結晶度升高而下降。當高聚物結晶度大于70%時，鏈段上的偶極的極化有時完全被，介電性能可降至低值，同樣的道理，非晶態高聚物在玻璃態下比在高彈態下具有更低的介質損耗。此外，高聚物中的增塑利、雜質等對介電性能也有很大景響。

介質損耗（dielectric loss ）指的是絕緣材料在電場作用下，由于介質電導和介質極化的滯后效應，在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失，簡稱介損。

介質損耗因數（dielectric loss factor）指的是衡量介質損耗程度的參數。【依據標準】GB/T 16491、GB/T 1040、GB/T 8808、GB/T 13022、GB/T 2790、GB/T 2791、GB/T 2792、GB/T 16825、GB/T 17200、GB/T 3923.1、GB/T 528、GB/T 2611、GB/T 6344、GB/T 20310、GB/T 3690、GB/T 4944、GB/T 3686、GB/T 529、GB/T 6344、GB/T 10654、HG/T 2580、JC/T 777、QB/T 2171、HG/T 2538、CNS 11888、JIS K6854、PSTC-7、ISO 37、AS 1180.2、BS EN 1979、BSEN ISO 1421、BS EN ISO 1798、BS EN ISO 9163、DIN EN ISO 1798、GOST 18299、DIN 53357、ISO 2285、ISO 34-1、ISO 34-2、BS 903、BS 5131、DIN EN 12803、DIN EN 12995、DIN53507-A、DIN53339、ASTM D3574、ASTM D6644、ASTM D5035、ASTM D2061、ASTM D1445、ASTM D2290、ASTM D412、ASTM D3759/D3759M

功能介紹

1.自動停機：試樣破壞后，移動橫梁自動停止移動（或自動返回初始位置、

2.自動換檔：根據試驗力大小自動切換到適當的量程，以確保測量數據的準確性

3.條件模塊：試驗條件和試樣原始數據可以建立自己的標準模塊的形式存儲；方便用戶的調用和查看，節省試驗時間

4.自動變速：試驗過程的位移速度或加載速度可按預先編制、設定的程序自動完成也可手動改變

5.自動程制：根據試驗要求，用戶可方便的建立自己的試驗模板（方法、，便于二次調用，可實現試驗加載速度、應力、應變的閉環試驗控制

6.自動保存：試驗結束，試驗數據和曲線計算機自動保存，杜絕因忘記存盤而引起的數據丟失

7.測試過程：試驗過程及測量、顯示、分析等均由微機完成

8.批量試驗：對相同參數的試樣，一次設定后可順次完成一批試驗

9.試驗軟件：中文Windows用戶界面，操作簡便

10.顯示方式：數據與曲線隨試驗過程動態顯示

11.曲線遍歷：試驗完成后，可對曲線進行放大再分析，用鼠標查到試驗曲線上各點對應的數據

12.試驗報告：可根據用戶要求進行編輯打印

13.限位保護：具有程控和機械兩級限位保護

14.過載保護：當負荷超過額定值3～5%時，自動停機

15.報告顯示：自動和人工兩種模式求取各種試驗結果，自動形成報表，使數據分析過程變的簡單，便于用戶

16.添加試驗方法：用戶可跟據試驗要求，添加試驗方法

軟件說明

a.軟件系統：中英文Windows2000/XP/Win7平臺下軟件包

b.自動儲存：試驗條件、試驗結果、計算參數、標距位置自動儲存。

c.自動返回：試驗結束后，試驗機橫梁會自動返回到試驗初始位置。

d.連續試驗：一批試驗參數設定完成后，可連續進行測試。

e.多種曲線：同一圖形上可顯示多種不同的曲線：荷重--位移、荷重-時間、位移--時間、應力—應變、荷重—兩點延伸等到多種曲線。

f.曲線對比：同組試樣的曲線可在同一張圖上疊加對比。

g.報告編輯：可按用戶要求輸出不同的報告形式。

h.動態顯示：測試過程中，負荷、伸長、位移及選中的試驗曲線隨著測試的進行，實時動態顯示在主控屏幕上。

i.自動變標：試驗中負荷、伸長等曲線坐標，如果選擇不當，可根據實測值的大小，自動變換座標。保證在任何情況下 曲線以大的形式顯示在屏幕上。

j.峰值保持：在測試的整個過程中，測試項目的大值始終隨著試驗的進行，在屏幕窗口上顯示。

k.執行標準：滿足GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等多種試驗方法和標準。

7,3 測 jft

電氣測量按本標準或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標準及相應的方法進行，

在1 MHz或更高頻率下，必須減小接線的電感對測量結果的影響.此時，可采用同軸接線系統(見 圖1所示)，當用變電抗法測量時，應提供一個固定微調電容器。

8結果 8. 1相對電容率旳

試樣加有保護電極時其相對電容率勺可按公式(1)計算，沒有保護電極時試樣的被測電容C；包括 了一個微小的邊緣電容其相對電容率為：

￡ C’X — G

式中：

相對電容率；

沒有保護電極時試樣的電容；

G——邊緣電容；

Co——法向極間電容；

G和G能從表1計算得來。

必要時應對試樣的對地電容、開關觸頭之間的電容及等值串聯和并聯電容之間的差值進行校正。 測微計電極間或不接觸電極間被測試樣的相對電容率可按表2、表3中相應的公式計算得來。

8.2介質損耗因數tanS

介質損耗因數也海按照所用的測量裝置給定的公式，根據測出的數值來計算。

8.3精度要求

在第5章和附錄A中所規定的精度是：電容率精度為±1%,介質損耗因數的精度為士(5% 士 0.000 5)。這些精度至少取決于三個因素：即電容和介質損耗因數的實測精度；所用電極裝置引起的這 些量的校正精度w極間法向真空電容的計算精度(見表1).

在較低頻率下，電容的測量精度能達士(0. 1%±0.02 pF),介質損耗因數的測量精度能達±(2%士 0. 000 05) o在較高頻率下，其誤差增大，電容的測量精度為±(0.5%±0?1 pF),介質損耗因數的測量 精度為士(2%±0. 000 2)o

對于帶有保護電極的試樣，其測量精度只考慮極間法向真空電容時有計算誤差。但由被保護電極 和保護電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點幾，而校正只能計算到其本身值的百分 乏幾。如果試樣厚度的測量能精確到土0.005 mm,則對平均厚度為1. 6 mm的試樣，其厚度測量誤差 能達到百分之零點幾。圓形試樣的直徑能測定到士 0」％的精度，但它是以平方的形式引入誤差的，綜 合這些因素，極間法向真空電容的測量誤差為±0. 5%。

對表面加有電極的試樣的電容，若采用測微計電極測量時，只要試樣直徑比測微計電極足夠小，則 只需要進行極間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測量兩電極試樣時，邊緣電容和對地電容的 計算將帶來一些誤差，因為它們的誤差都可達到試樣電容的2%?40%。根據目前有關這些電容資料, 計算邊緣電容的誤差為10%,計算對地電容的誤差為25%。因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之 幾。當電極不接地時,對地電容誤差可大大減小。

采用測微計電極時，數量級是0.03的介質損耗因數可測到真值的士0. 000 3,數量級0. 000 2的介

質損耗因數可測到真值的士0, 000 05o介質損耗因數的范圍通常是0.000 1^0. 1,但也可擴展到0. 1 以上。頻率在10 MHz和20 MHz之間時，有可能檢測出0. 000 02的介質損耗因數‘ 1?5的相對電容 率可測到其真值的±2%,該精度不僅受到計算極間法向真空電容測量精度的限制，也受到測微計電極 系統誤差的限制。

9試驗報告

試驗報告中應給出下列相關內容：

絕緣材料的型號名稱及種類、供貨形式、取樣方法、試樣的形狀及尺寸和取樣日期（并注明試樣厚度 和試樣在與電極接觸的表面進行處理的情況）；

試樣條件處理的方法和處理時間；

電極裝置類型，若有加在試樣上的電極應注明其類型；

測量儀器；

試驗時的溫度和相對濕度以及試樣的溫度；

施加的電壓；

施加的頻率；

相對電容率&（平均值）亍

介質損耗因數也海（平均值

試驗日期；

介電常數和介質損耗測試儀

本標準修改采用IEC 60250： 1969?測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電 容率和介質損耗因數的推薦方法》（英文版）。

本標準根據IEC 60250:1969重新起草。在附錄B中列出了本標準章條編號與IEC 60250:1969章 條編號的對照一覽表。

考慮到我國國情，在采用IEC 60250:1969時，本標準做了一些修改。有關技術性差異已編入正文 中并在它們所涉及的條款的頁邊空白處用垂直單線標識。

為便于使用，本標準做了下列編輯性修改：

a） 刪除國際標準的目次和前言,

b） 用小數點'、代替作為小數點的逗號

c） 弓|用的 IEC 60247 , ^Measurement of relative permittivity? dielectric dissipation factor and d. c. resistivity of insulating liquids”即“液體絕緣材料相對電容率、介質損耗因數和直流電阻 率的測量''代替uRecommended Test cells for Measuring the Resistivity of Insulating Liquids and Methods of cleaning the cells”即“測量絕緣液體電阻率的試驗池及清洗試驗池的推薦 方法七

d） 用V代替

e） 增加了“術語七

f） 增加公式中符號說明；

g） 圖按 GB/T 1. 1-2000 標注。

本標準與GB/T 1409 -1988的相比，主要變化如下：

1） 增加“規范性引用文件”（本標準第2章）；

2） 增加“電介質用途”（本標準41）；

3） 刪去導電橡皮；

4） 增加“石墨”（本標準5. 1.3）；

5） 增加“液體絕緣材料”（本標準5. 2）o

本標準代替GB/T 1409-1988（（固體絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波長在內）下相對介電常 數和介質損耗因數的試驗方法》。

本標準的附錄A、附錄B為資料性附錄。

本標準由中國電器工業協會提出。

本標準由全國絕緣材料標準化技術委員會歸口。

本標準起草單位：桂林電器科學研究所。

本標準主要起草人：王先鋒、谷曉麗。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：

一-GB/T 1409- 1978；

GB/T 1409—1988 o