靈活的自動掃描系統MDPmap
離線工具MDPmap是專為半導體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設計的。MDPmap能夠連續地改變激發脈沖寬度,從非常短的脈沖(100ns)到穩態測量(幾ms),研究不同深度的缺陷動力學和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規測量以及復雜的研發應用。
MDPmap設計用于離線生產控制或研發、測量少子壽命、光電導率、電阻率和缺陷信息等參數的小型臺式無觸點電特性測量儀器,在穩態或短脈沖激勵下(μ-PCD)下工作。自動的樣品識別和參數設置允許在從原始生長晶片到高達95%金屬化晶片的各種工藝階段之后,容易地應用于包括外延層的各種不同樣品。
MDPmap的主要優點是靈活性高。例如,它允許集成多達四個激光器,用于從超低注入到高注入的與注入水平相關的壽命測量,或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏光設施,以及μ-PCD或穩態注入條件的選擇。可以使用不同的測量圖形進行客戶定義的計算,以及導出用于進一步評估的主要數據。對于標準測量,預定義的標準僅通過按一個按鈕即可實現常規測量。
優勢
。在幾乎任何生產階段,電活性缺陷或材料性能的可視化實現了工藝優化和設備的性能預測。
。極其通用的測量方法可實現特殊測量以及國際標準的可追溯性。
。小型緊湊的臺式工具,具有很高的測量靈敏度,便于快速常規測量。
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已咨詢698次德國Sentech 光伏測量儀器
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ASML 光刻機 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 緊湊式濺射系統 Compact Sputter,靈活的基板尺寸,最大可達6英寸,基板架加熱溫度最高可達500℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%, 最多可配備5個6英寸磁控濺射源(可選配3或4個),支持射頻、直流或脈沖直流電源,最多可支持3條氣體管路,支持順序沉積和共沉積。
Syskey 緊湊式熱蒸發系統 Compact Thermal ,靈活的基板尺寸,最大可達6英寸, 基板架加熱溫度最高可達500℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%,可選配電子束或熱舟蒸發源(最多3個),速率控制沉積,可沉積多層薄膜,選用特定目標材料
高真空濺射系統 HV Sputter,靈活的基板尺寸,最大可達12英寸或200×200毫米, 基板架加熱溫度最高可達800℃,出色的薄膜均勻性,誤差小于±3%
超高真空磁控濺射鍍膜機 UHV Sputter,? 基板支架加熱至 800 °C ? 優異的薄膜均勻性小于 ±3% ? 磁控濺射源(數量最多 8 個),可選強磁版本
Syskey 高真空熱蒸發鍍膜機HV Thermal 高真空熱蒸發系統可提供的真空環境 用于常見薄膜沉積,包括金屬、有機物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統可滿足各種應用要求,包括OLED、OPV、OPD等。
Syskey 超高真空熱蒸發鍍膜機UHV Thermal, ? 靈活的基板尺寸可達 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °C? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%? 船和電池源(數量最多 6 個)? 可以共蒸發和摻雜。? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統集成
Syskey 高真空電子束鍍膜系統 HV E-beam, 靈活的基板尺寸可達 12 英寸,? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%