VIL系列納米圖形系統(激光干涉光刻機)具有快速可重構光束傳輸、主動圖形穩定和精確樣品定位等強大功能。該系統可以通過使用標準2cm×2cm正方形或用戶定義形狀的圖案場進行重復曝光,在8英寸大面積上產生各種納米結構,例如1D光柵線和2D柱/孔圖案,周期從240 nm到1500 nm。
技術
1、 可實現同一晶圓上不同納米結構的分區光刻;
2、 制作多種一維、二維納米圖案;
3、 線寬可以低于50nm;
4、 與其他同類設備的功能對比圖如下:
電子束直寫 | 激光直寫 | 紫外光刻機 | 激光干涉光刻機 | |
設備示例 | ![]() | ![]() | ![]() | |
代表廠商 | 德國的Raith和Vistec, 日本的JEOL和Elionix | 海德堡和Raith | Eulitha | InterLitho |
代表性產品型號 | Raith EBPG Plus | 海德堡 DWL 66+ | Eulitha PhableR 100 | VIL1000 |
主要用途 | 高分辨率掩模版制造和納米結構的制備 | 對分辨率要求不高的掩模版制造和納米結構制備 | 分辨率適中的納米結構制備 | 大面積、低成本、高通量制備高分辨率周期性納米結構,用于微納光學、生物芯片等新興應用 |
刻寫的較小物理線寬 | <10nm | ~300nm | 60nm | 40nm |
價格和維護成本 | 高 | 中 | 中 | 較低 |
自動化程度 | 全自動 | 全自動 | 部分手動 | 全自動 |
設備效率 | 低 | 低 | 高 | 高 |
需要掩模 | 否 | 否 | 是 | 否 |
特征尺寸調制難度 | 難,樣品需要重新刻寫 | 難,樣品需要重新刻寫 | 難,需要重新刻寫模板 | 容易,幾分鐘可實現 |
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電子束曝光指利用聚焦電子束在光刻膠上制造圖形的工藝 , 是光刻工藝的延伸應用 。 電子束曝光系統是實現電子束曝光 技術的硬件平臺,系統的性能決定了曝光工藝關鍵尺寸、拼接和套刻精度等參數。
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GGB行業,一系列校準基板允許用戶校準多種GGB 行業的Picoprobe?探頭尖端。測量系統校準的基本原理是提供測量系統可以連接到的精確已知標準。