日本RION液體光學顆粒度儀：KS-42D ( 光散射法）
光源：鐳射二極管（波長780nm，額定輸出5mW)
接觸樣品的部件材料：人造石英 PFA，Perfluoro
流量：25mL/min
設定范圍：2μm~100μm
粒徑范圍（8個通道，出廠默認）：≥2μm， ≥3μm ， ≥5μm ， ≥7μm, ≥10μm， ≥25μm ， ≥50μm ， ≥100μm(可選 ≥150μm）
最 大粒子數濃度：10 000 顆/L （誤差值低于10%）
電源：DC12V(由KE-40B1供應）
尺寸和重量：約：H125*W140*D150 (mm), 約重2.2kg
報價：面議
已咨詢556次Rion 液體光學顆粒度儀
報價：面議
已咨詢446次Rion 液體光學顆粒度儀
報價：面議
已咨詢740次Rion 液體光學顆粒度儀
報價：面議
已咨詢359次Rion 液體光學顆粒度儀
報價：面議
已咨詢398次Rion 液體光學顆粒度儀
報價：面議
已咨詢418次Rion 液體光學顆粒度儀
報價：面議
已咨詢451次Rion 液體光學顆粒度儀
報價：面議
已咨詢413次Rion 液體光學顆粒度儀
ASML 光刻機 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 緊湊式濺射系統 Compact Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達6英寸，基板架加熱溫度最高可達500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%， 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個），支持射頻、直流或脈沖直流電源，最多可支持3條氣體管路，支持順序沉積和共沉積。
Syskey 緊湊式熱蒸發系統 Compact Thermal ，靈活的基板尺寸，最大可達6英寸， 基板架加熱溫度最高可達500℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%，可選配電子束或熱舟蒸發源（最多3個），速率控制沉積，可沉積多層薄膜，選用特定目標材料
高真空濺射系統 HV Sputter，靈活的基板尺寸，最大可達12英寸或200×200毫米， 基板架加熱溫度最高可達800℃，出色的薄膜均勻性，誤差小于±3%
超高真空磁控濺射鍍膜機 UHV Sputter,? 基板支架加熱至 800 °C ? 優異的薄膜均勻性小于 ±3% ? 磁控濺射源（數量最多 8 個），可選強磁版本
Syskey 高真空熱蒸發鍍膜機HV Thermal 高真空熱蒸發系統可提供的真空環境 用于常見薄膜沉積，包括金屬、有機物、鈣鈦礦和化合物。全自動系統可滿足各種應用要求，包括OLED、OPV、OPD等。
Syskey 超高真空熱蒸發鍍膜機UHV Thermal, ? 靈活的基板尺寸可達 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °C? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%? 船和電池源（數量最多 6 個）? 可以共蒸發和摻雜。? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統集成
Syskey 高真空電子束鍍膜系統 HV E-beam， 靈活的基板尺寸可達 12 英寸，? 優異的薄膜均勻性小于 ±3%
營業執照已審核
分享
收藏
滬公網安備 31011502008050號