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熱場發射掃描電子顯微鏡Quattro C
- 品牌:賽默飛世爾
- 型號: Quattro C
- 產地:美洲 美國
- 供應商報價:面議
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深圳市天禧儀器有限公司
更新時間:2024-01-16 11:02:15
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銷售范圍售全國
入駐年限第7年
營業執照已審核
- 同類產品場發射掃描電子顯微鏡(1件)
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- 熱場發射掃描電子顯微鏡Quattro C 核心參數
產品特點
- 用途:場發射環境掃描電鏡,配備能譜儀和冷臺。掃描電鏡和能譜儀,可用于測試各種材料,如金屬材料、高分子材料、無機材料(礦物、巖土、甚至含水分材料)等的樣品表面二次電子形貌信息,背散射電子組分區分,能譜元素成分分析。結合冷臺,可通過控制樣品室內溫度和濕度,模擬環境測試樣品在動態環境中的形貌和組分變化,并記錄這些變化的過程。
詳細介紹
工作環境:
1電壓:100-240V(-6%,+10%)
2工作溫度:20±3 ℃
3 相對濕度:< 80%
4 震動和磁場需由廠家裝機前測試并給出報告
主要技術性能指標:
1、電子光學
1.1 發射源:高分辨肖特基場發射電子槍。
1.2 加速電壓:200V – 30kV。
1.3 放大倍數:6× - 2,500,000×。
1.4 電鏡內設計有壓差真空系統,保護低真空/環境真空下電子槍,延長壽命。
1.5 大的電子束束流:1pA -200nA 連續可調,保證能譜高效工作。
2、真空系統
2.1 1個250 l/s分子渦輪泵+1個機械泵+2個離子泵
2.2 集成的離子泵備用電池(用于意外斷電保護)
2.2 高真空模式:<6×10-4 Pa (測試導電樣品或噴金處理樣品)
2.3 低真空模式:10 – 200 Pa (直接測試不導電樣品)
2.4 環境真空模式:10 – 4000 Pa (測試含水分樣品)
2.5 高真空模式下的換樣時間:≤3.5min
2.6 環境真空模式下的換樣時間:≤4.5min
3、分辨率
獨立的高真空專用探測器,分辨率指標
3.1 高真空分辨率30 kV下1.0 nm (二次電子)
3.2 高真空分辨率30 kV下2.5 nm (背散射電子)
3.3 高真空分辨率1 kV下3.0 nm (二次電子)
獨立的低真空專用探測器
3.4 低真空分辨率30 kV下1.3 nm (二次電子)
3.5 低真空分辨率30 kV下2.5 nm (背散射電子)
3.6 低真空分辨率3 kV下3.0 nm (背散射電子)
獨立環境真空專用探測器
3.7環境真空分辨率30 kV下1.3 nm (二次電子)
4、樣品室
4.1 樣品室內寬:340mm
4.2 分析工作距離:10 mm
4.3 樣品室紅外CCD相機:1個
4.4 最多可升級12個探測器或附件接口
5、樣品臺
5.1 樣品臺類型:五軸全自動U中心對中樣品臺,同時保留五軸手動功能
5.2 行程:X:110 mm,Y:110 mm ,Z:65 mm,
5.4 旋轉R=n×360o,傾斜T=-15o/+90o
5.3 多功能樣品臺,存放標準樣品臺 (?12 mm)平面18個,斜面3個,同時提供2個斷面夾具
5.4 樣品最大安全高度≥85mm
6、圖像處理及系統控制
6.1最大6144×4096像素,可保存TIFF/BMP/JPEG格式
6.2操作界面既可單窗口又可四窗口圖像顯示,駐留時間25ns-25ms/pixel
6.3實時或靜態信號按彩色或按灰度等級混合, 256 幀平均或積分, 數字動畫記錄,直方圖及圖像測量軟件
6.4SmartSCAN? 智能掃描技術和圖像導航,
加速電壓 | 加速電壓:200V – 30kV | 放大倍數 | 放大倍數:6× - 2,500,000× |
分辨率 | 高真空分辨率30 kV下1.0 nm (二次電子) | 抽真空時間 | 高真空模式下的換樣時間:≤3.5min |
真空度 | <6×10-4 Pa |