上海伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 40
美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東KRI 考夫曼離子源 RPICP 140
因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
?KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強(qiáng)大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體
KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
? 水冷 - 與 eh 1000 對(duì)比, 提供更高的離子輸出電流
? 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最/大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
? 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 40-300V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 5 cm |
- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu) | 模塊化 |
電源控制 | eHx-30010A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發(fā)散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽(yáng)極 | 標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移動(dòng)或快接法蘭 |
- 高度 | 4.0' |
- 直徑 | 5.7' |
- 加工材料 | 金屬 |
- 工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 16-45” |
- 自動(dòng)控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH2000 應(yīng)用領(lǐng)域
? 離子輔助鍍膜 IAD
? 預(yù)清洗 Load lock preclean
? 預(yù)清洗 In-situ preclean
? Direct Deposition
? Surface Modification
? Low-energy etching
? III-V Semiconductors
? Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專/利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.
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Park NX-Hivac通過為失效分析工程師提供高真空環(huán)境來提高測(cè)量敏感度以及原子力顯微鏡測(cè)量的可重復(fù)性。與一般環(huán)境或干燥N2條件相比，高真空測(cè)量具有準(zhǔn)確度好、可重復(fù)性好及針尖和樣本損傷低等優(yōu)點(diǎn)。
高精度探針針尖變量的亞埃米級(jí)表面粗糙度測(cè)量，晶圓的表面粗糙度對(duì)于確定半導(dǎo)體器件的性能是至關(guān)重要的，對(duì)于先進(jìn)的元件制造商，芯片制造商和晶圓供應(yīng)商都要求對(duì)晶圓商超平坦表面進(jìn)行更精確的粗糙度控制。
對(duì)于工程師來說，識(shí)別介質(zhì)/平面基底的納米級(jí)缺陷的任務(wù)是一個(gè)非常耗時(shí)的過程，Park NX-HDM原子力顯微鏡系統(tǒng)可以自動(dòng)缺陷識(shí)別，通過與各種光學(xué)儀器的聯(lián)用可以提高缺陷檢測(cè)效率。
Park Systems推出NX-3DM全自動(dòng)原子力顯微鏡系統(tǒng)，專為垂懸輪廓、高分辨率側(cè)壁成像和臨界角的測(cè)量而設(shè)計(jì)。
CSI是一家法國(guó)科學(xué)設(shè)備制造商，擁有專業(yè)的AFM設(shè)計(jì)概念，以及為現(xiàn)有的AFM提供設(shè)計(jì)選項(xiàng)。它避免了激光對(duì)準(zhǔn)需要預(yù)先定位針尖的系統(tǒng)，針尖/樣品的頂部和側(cè)視圖，結(jié)合垂直的馬達(dá)控制系統(tǒng)，使預(yù)先趨近更加容易。
EM-AFM可在SEM中同時(shí)提供原子力顯微鏡成像和納米機(jī)械測(cè)量。它綜合了這兩種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，可高速獲得高分辨率的三維圖像，并且在微納米和亞納米尺度上實(shí)時(shí)觀察納米級(jí)力的相互作用，與常規(guī)SEM/FIB兼容，
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